Осмийдигерманий (Kvbnw;niyjbgunw)
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Осмийдигерманий | |
---|---|
Общие | |
Систематическое наименование |
Осмийдигерманий |
Традиционные названия | Дигерманийосмий |
Хим. формула | Ge2Os |
Рац. формула | OsGe2 |
Физические свойства | |
Состояние | кристаллы |
Молярная масса | 335,51 г/моль |
Плотность | 11,9 г/см³ |
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. |
Осмийдигерманий — бинарное неорганическое соединение осмия и германия с формулой Ge2Os, кристаллы.
Получение
[править | править код]- Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
Физические свойства
[править | править код]Осмийдигерманий образует кристаллы моноклинной сингонии, пространственная группа C 2/m, параметры ячейки a = 0,8995 нм, b = 0,3094 нм, c = 0,7685 нм, β = 119,16°, Z = 4 [1][2][3][4].
Проявляет полупроводниковые свойства [5].
Примечания
[править | править код]- ↑ Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Металлургия, 1997. — Т. 2. — 1024 с. — ISBN 5-217-01569-1.
- ↑ B. Predel. Ge-Os (Germanium-Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1996. — Т. 5f. — С. 1. — doi:10.1007/10501684_1489.
- ↑ B. Predel. Ge - Os (Germanium - Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 2013. — С. 144. — doi:10.1007/978-3-642-24778-1_93.
- ↑ G. Weitz, L. Born, E. Hellner. Zur Struktur des OsGe2 // Z. Metallkd.. — 1960. — Т. 51. — С. 238–243.
- ↑ Nader M. Elmarhoumi. Novel Semi-Conductor Material Systems: Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization // Dissertation Prepared for the Degree of «Doctor of Philosophy (Physics)». — 2013. — С. 138. Архивировано 4 марта 2016 года.
Это заготовка статьи о неорганическом веществе. Помогите Википедии, дополнив её. |