Хайкин, Моисей Семёнович (}gwtnu, Bknvyw Vyb~ukfnc)

Моисей Семёнович Хайкин
Моисей Семёнович Хайкин
Дата рождения	5 декабря 1921
Дата смерти	7 декабря 1990 (69 лет)
Страна	СССР
Род деятельности	физик
Научная сфера	физика
Место работы	ИФП АН СССР
Альма-матер	физический факультет МГУ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	член-корреспондент АН СССР

Моисей Семёнович Хайкин (5 декабря 1921, Москва — 7 декабря 1990, там же) — советский физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, член-корреспондент АН СССР (1987).

Биография

Родился 5 декабря 1921 года в Москве семье известного физика и радиоастронома С. Э. Хайкина. Племянник дирижёра Б. Э. Хайкина. В 1947 году окончил МГУ. С 1945 года работал в Институте физических проблем АН СССР. Ученик А. И. Шальникова и И. В. Обреимова. Кандидатскую диссертацию на тему «Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводящего олова на частоте 9400 мегагерц» защитил в 1952 году. В 1962 году получил ученую степень доктора физ.-мат. наук. Тема докторской диссертации — «Исследование свойств электронов проводимости металлов на сверхвысоких частотах». Преподавал в МГУ и МФТИ, профессор.

Скончался 7 декабря 1990 года. Похоронен на Донском кладбище (уч. у колумбария 12)^[1].

Семья

Жена — Ирина Петровна Голямина (1924—2015), физик-акустик, научный сотрудник Акустического института АН СССР^[2].

Научная деятельность

Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).

Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).^[3]

Обнаружил сверхпроводимость вблизи плоскости двойникования в металлах, в ряде случаев приводящую к значительному повышению температуры сверхпроводящего перехода (1978—1983).

Инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии. Создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987). Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).

Награды

Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию.

Примечания

↑ Могила М. С. Хайкина (неопр.). Дата обращения: 25 марта 2017. Архивировано 1 июня 2017 года.
↑ Некролог в «Акустическом журнале» (2016) (неопр.). Дата обращения: 22 ноября 2022. Архивировано 22 ноября 2022 года.
↑ Научное открытие «Осцилляторная зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля» Автор: М. С. Хайкин. Номер и дата приоритета: № 16 от 30 апреля 1960 г. (неопр.) Дата обращения: 19 июня 2022. Архивировано 26 ноября 2020 года.

Источники

Хайкин, Моисей Семёнович на официальном сайте РАН
Хайкин Моисей Семенович
Хайкин Моисей Семенович// Фото
Памяти Моисея Семёновича Хайкина, Успехи физических наук, т. 161, № 6, июнь 1991

[1] Могила М. С. Хайкина (неопр.). Дата обращения: 25 марта 2017. Архивировано 1 июня 2017 года.

[2] Некролог в «Акустическом журнале» (2016) (неопр.). Дата обращения: 22 ноября 2022. Архивировано 22 ноября 2022 года.

[3] Научное открытие «Осцилляторная зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля» Автор: М. С. Хайкин. Номер и дата приоритета: № 16 от 30 апреля 1960 г. (неопр.) Дата обращения: 19 июня 2022. Архивировано 26 ноября 2020 года.

[1]

[2]

[3]