МЦСТ-R150 (BEVM-R150)

Микропроцессор МЦСТ R-150 (1891ВМ1) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC V8. Изготавливается с 2001 года. Кремниевые пластины производятся в Израиле на фабрике Tower Semiconductor, а корпусированием и тестированием процессоров занимается компания ASE[1](Тайвань).

Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,35 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.

Микропроцессор R-150 предназначен для создания ЭВМ для стационарных и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации.

Основные характеристики микропроцессора «R-150»

Характеристики		Значения
1	Технологический процесс	КМОП 0,35 мкм
2	Рабочая тактовая частота	150 МГц
3	Размер слов:	32/64
4	Кэш-память команд 1-го уровня	8 Кбайт (2 way)
5	Кэш-память данных 1-го уровня	16 Кбайт (4 way)
6	Внешняя кэш-память 2-го уровня	1 Мбайт
7	Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня	1,2 Гбайт/с
8	Пропускная способность шины MBus	0,4 Гбайт/с
9	Площадь кристалла	100 мм²
10	Количество транзисторов	2,8 млн
11	Количество слоев металла	4
12	Тип корпуса / количество выводов	BGA / 480
13	Напряжение питания	3,3 В
14	Рассеиваемая мощность	<4 Вт

Источники

• Сайт ЗАО МЦСТ