МЦСТ-R1000 (BEVM-R1000)
МЦСТ R-1000 (проектное название МЦСТ-4R, маркируется как «1891ВМ6Я») — микропроцессор российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, которая изначально была разработана в 1985 году компанией Sun Microsystems. Является наиболее производительным российским микропроцессором архитектуры SPARC на середину 2015 года. Программно совместим с архитектурой SPARC v9 и векторными расширениями VIS1 и VIS2; также имеет свои собственные расширения системы команд.
Представляет собой четырёхъядерную систему на кристалле с встроенными кэшем второго уровня, контроллером оперативной памяти и контроллерами периферийных каналов. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,09 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.
Микропроцессор R-1000 предназначен для высокопроизводительных вычислительных комплексов, одноплатных ЭВМ, носимых и встроенных решений, главным образом разработанных по заказу Министерства обороны Российской Федерации. Прошел государственные испытания и рекомендован к серийному производству.
Компьютеры на базе процессора R-1000 применяются в вычислительных центрах, системах предупреждения о ракетном нападении, а также в криптографическом оборудовании. Выпускаются небольшими партиями по несколько десятков комплектов в месяц, часть процессоров для удешевления производится на Тайване по российской документации, но в вычислительных комплексах СПРН применяются исключительно отечественные изделия.
| Характеристики | Значения | |
|---|---|---|
| 1 | Технологический процесс | КМОП 0,09 мкм |
| 2 | Рабочая тактовая частота | 1000 МГц |
| 3 | Размер слов: | 32/64 |
| 4 | Кэш-память команд 1-го уровня | 16 Кбайт (4 way) |
| 5 | Кэш-память данных 1-го уровня | 32 Кбайт (8 way) |
| 6 | Встроенная кэш-память 2-го уровня | 2048 Кбайт |
| 7 | Пиковая пропускная способность канала обмена с памятью | 4 Гбайт/с |
| 8 | Производительность одного ядра (в терминах DhryStone): GIPS GFLOPS (FP32) GFLOPS (FP64) |
2 4 2 |
| 9 | Количество транзисторов | 180 млн |
| 10 | Площадь кристалла | 128 мм² |
| 11 | Количество слоев металла | 10 |
| 12 | Тип корпуса / количество выводов | HFC BGA / 1156 |
| 13 | Напряжение питания | 1,0/1,8/2,5 В |
| 14 | Потребляемая мощность, Вт | 20 Вт |
| 15 | Процессорных ядер | 4 |
Разрабатывается модификация с малым потреблением энергии R-1000M[3], где ожидается потребляемая мощность не более 14 Вт.
Примечания
[править | править код]- ↑ Микропроцессор МЦСТ R1000. Дата обращения: 7 октября 2013. Архивировано 26 апреля 2014 года.
- ↑ Выпуск четырёхъядерного микропроцессора R1000
- ↑ Разработка экономичной версии микропроцессора с архитектурой SPARC и унифицированных электронных модулей на его основе (16 августа 2013). Дата обращения: 7 октября 2013. Архивировано из оригинала 23 марта 2014 года.
