Эффект Рашбы — Эдельштейна (|ssytm JgoQd — |;yl,omywug)

Перейти к навигации Перейти к поиску
Расщепление Рашбы и топологическая зонная структура изолятора и контуры Ферми (двумерный аналог поверхность Ферми): сечение закона дисперсии энергии (a) и контуры Ферми (b), под действием эффекта Рашбы, и сечение закона дисперсии энергии (c) и контур Ферми (d) на поверхности топологического изолятора[1].

Эффект Рашбы — Эдельштейна (РЭЭ) в спинтронике — эффект, заключающийся в преобразовании двумерного электрического тока в накопление спинов[1][2]. Этот эффект является собственным механизмом преобразования заряда в спин[1] и был предсказан в 1990 году В. М. Эдельштейном[3]. Экспериментально был продемонстрирован в 2013 году[4] и подтверждён рядом последующих работ[2][5][6].

Его происхождение можно объяснить наличием спин-поляризованных поверхностных или интерфейсных состояний[7]. Нарушение структурной симметрии инверсии (то есть наличие структурной асимметрии инверсии (SIA)) служит проявоением эффекта Рашбы: этот эффект нарушает спиновое вырождение энергетических зон и приводит к тому, что спиновая поляризация фиксируется по импульсу в каждой ветви дисперсионного соотношения для носителей тока[2]. Если электрически ток течёт в этих спин-поляризованных поверхностных состояниях, то создаёт накопление спинов[7]. В случае двумерного газа Рашбы, где происходит такое расщепление зон[8], этот эффект называется эффектом Рашбы — Эдельштейна (в честь Э. И. Рашбы)[1][7].

Что касается класса материалов, называемых топологическими изоляторами (ТИ), спин-расщеплённые поверхностные состояния существуют благодаря топологии границы, независимо от эффекта Рашбы[9]. Топологические изоляторы действительно демонстрируют на своей поверхности спин-расщёпленный линейный закон дисперсии (то есть спин-поляризованные конусы Дирака[10]), в то же время обладая запрещённой зоной в объёме, что дало название этим материалам[1]. Также в этом случае спин и импульс заблокированы[2], и когда ток течёт в этих спин-поляризованных поверхностных состояниях, происходит накопление спина, и этот эффект называется эффектом Эдельштейна[7]. В обоих случаях реализуется двумерный механизм преобразования электрического заряда в спин[7].

Обратный процесс называется обратным эффектом Рашбы — Эдельштейна, и он преобразует накопление спина в двумерный электрический ток, что приводит к преобразованию спина в заряд двумерных материалах[11].

Эффект Рашбы — Эдельштейна и его обратный эффект классифицируются как механизмы взаимного преобразования спин-заряда (SCI), как прямой и обратный спиновый эффект Холла, а материалы, демонстрирующие эти эффекты, являются многообещающими кандидатами на роль спиновых инжекторов, детекторов и других технологий спинтроники[1][2][4].

Эффект Рашбы — Эдельштейна представляет собой поверхностный эффект, в отличие от спинового эффекта Холла, который является объёмным эффектом[1]. Ещё одно различие между ними заключается в том, что эффект Рашбы — Эдельштейна является чисто собственным (внутренним) механизмом, тогда как происхождение спинового эффекта Холла может быть как внутренним так и внешним (примесным)[12].

Физическое происхождение

[править | править код]

Происхождение эффекта Рашбы — Эдельштейна связано с наличием спин-расщёпленной поверхности или интерфейсных состояний, которые могут возникнуть из-за структурной асимметрии инверсии или из-за того, что материал имеет топологически защищённую поверхность, являясь топологическим изолятором[1][7]. В обоих случаях поверхность материала демонстрирует спиновую поляризацию, привязанную к импульсу, а это означает, что эти две величины однозначно связаны и ортогональны друг другу (это хорошо видно из контуров Ферми)[1][7][9][10]. Также может присутствовать объёмная инверсная асимметрия, которая приведёт к эффекту Дрессельхауза[1]. Фактически, если в дополнение к пространственной инверсионной асимметрии или топологической зонной структуре изолятора присутствует также объёмная инверсная асимметрия, спин и импульс по-прежнему заблокированы, но их относительная ориентация не может быть непосредственно определена (поскольку ориентация электрического тока относительно кристаллографических осей также играет важную роль)[9]. В дальнейшем для простоты мы будем пренебрегать эффектом Дрессельхауза[9].

Зонная структура топологического изолятора в равновесном состоянии (a) и в неравновесной ситуации, когда происходит процесс взаимного превращения спин-заряда (b). К неравновесной ситуации могут привести два возможных эффекта: инжекция электрического тока (то есть дисбаланс импульса), который преобразуется в накопление спинов (эффект Эдельштейна), или инжекция спинов, приводящая к накоплению спинов, вызывающему электрический ток (обратный эффект Эдельштейна)[1].

Случай топологического изолятора легче визуализировать из-за наличия единственного контура Ферми. Топологические изоляторы демонстрируют состояния спин-расщеплённой поверхности, в которых присутствует блокировка спина-импульса[1][2][10]. Действительно, когда ток заряда течёт в поверхностных состояниях топологического изолятора, это также можно рассматривать как определённый сдвиг импульса в обратном пространстве, что приводит к разной заселённости спин-поляризованных ветвей конуса Дирака[1]. Этот дисбаланс, в соответствии со структурой закона дисперсии топологического изолятора, приводит к накоплению спинов в исследуемом материале, то етсь происходит спин-зарядовая конверсия[3]. Накопление спина ортогонально инжектируемому току заряда в соответствии с блокировкой спинового момента[13]. В связи с тем, что эти материалы проявляют проводящие свойства на своей поверхности, будучи непроводящими в обхёме, электрический ток может течь только по поверхности топологических изоляторов: это является причиной двухмерности этого механизма преобразования заряда в спин[1][14].

Что касается эффекта Рашбы — Эдельштейна, то дисперсионное уравнение спин-расщепления состоит из двух зон, смещённых вдоль оси k из-за структурной асимметрии инверсии (SIA), соответственно эффекту Рашбы (то есть эти зоны демонстрируют линейное расщепление в k-пространстве из-за спин-орбитального взаимодействия[9][15]). В результате образуются два контура Ферми, которые в равновесии концентричны, оба демонстрируют блокировку спина и импульса, но с противоположной спиральностью[9]. Если система приводится в неравновесное состояние путём электрического тока, то два диска смещаются один относительно другого, и возникает суммарное накопление спинов[9]. Этот эффект имеет место, например, в двумерном газе Рашбы[1]. Расщепление Рашбы усложняет понимание и визуализацию механизма конверсии спина в заряд, но основной принцип работы эффекта Рашбы — Эдельштейна очень похож на принцип действия эффекта Эдельштейна[1][4].

С экспериментальной точки зрения, эффект Рашбы — Эдельштейна возникает, если электрический ток инжектируется внутрь топологического изолятора, например, с помощью двух электродов, к которым приложена разность потенциалов. Возникающее в результате накопление спинов можно исследовать несколькими способами, один из них — с помощью магнитооптического эффекта Керра (MOKE)[1].

Обратный эффект Рашбы — Эдельштейна

[править | править код]

Обратный эффект Рашбы — Эдельштейна (I(R)EE)[13] возникает, когда внутри исследуемого материала создаётся накопление спинов и, как следствие, возникает электрический ток на поверхности материала (в этом случае имеется двумерное преобразование спина в заряд)[1]. Чтобы наблюдать обратный эффект Рашбы — Эдельштейна, необходимо создать накопление спинов внутри анализируемого материала, и эта спиновая инжекция обычно достигается путём соединения исследуемого материала с ферромагнетиком для выполнения электрической инжекции[2][16] или с полупроводником, где можно осуществить оптическую накачку[17][18][19]. Что касается прямого эффекта, то в материалах, лишённых структурной симметрии инверсии, возникает обратный эффект Рашбы — Эдельштейна, а в топологических изоляторах возникает обратный эффект Эдельштейна[1].

В случае обратного эффекта Эдельштейна, глядя на сечение конуса Дирака, преобразование спина в заряд можно визуализировать следующим образом: спиновая инжекция вызывает накопление спинов одной ориентации в одной из ветвей дисперсионного соотнощения[1][7]. Это приводит к дисбалансу спинов из-за различных заполнений ветвей, что приводит к дисбалансу импульса и, следовательно, к электрическому току, который можно измерить приборами[7]. Что касается прямого эффекта, то и при обратном эффекте Эдельштейна электрический ток может течь только по поверхностям топологического изолятора из-за формы энергетической зоны[10]. Именно так в этих материалах происходит двумерное преобразование спина в заряд, что позволяет использовать топологические изоляторы в качестве детекторов спина[2].

Что касается прямого эффекта, то данный анализ проведен для обратного эффекта Эдельштейна, поскольку в этом случае присутствуют только две энергетические ветви. Что касается обратного эффекта Рашбы — Эдельштейна, то процесс очень похож, несмотря на наличие четырёх энергетических ветвей с блокировкой спина и импульса в дисперсионном законе и двух последовательных контуров Ферми с противоположными спиральностями[1][7]. В этом случае два контура Ферми, когда внутри материала генерируется накопление спинов, будут смещаться друг относительно друга, создавая электрический ток, в отличие от равновесного случая, в котором два контура Ферми концентричны и не обладают ни суммарным импульсом ни накоплением спина[1][9].

Эффективность процесса

[править | править код]

Хотя и эффект Рашбы — Эдельштейна, и обратный эффект Рашбы — Эдельштейна основаны на накоплении спина, эффективность процессов обычно вычисляется путём учёта плотности спинового тока, связанной с накоплением спина, а не самого накопления спинов по аналогии со спиновым углом Холла для спинового эффекта Холла[2]. Действительно, эффективность эффекта Рашбы — Эдельштейна и обратного эффекта Рашбы — Эдельштейна можно оценить с помощью характеристической длины Рашбы — Эдельштейна, то есть отношения плотности электрического тока, протекающего по поверхности исследуемого материала и трехмёрной плотность спинового тока (поскольку накопление спинов может диффундировать в трёхмерном пространстве).[2]

В эффекте Рашбы — Эдельштейна спиновый ток является следствием накопления спинов, происходящего в материале при протекании электрического тока по его поверхности (под действием разности потенциалов и, следовательно, электрического поля), а в обратный эффект Рашбы — Эдельштейна: спиновый ток — это количество, инжектируемое внутрь материала, приводящее к накоплению спина и приводящее к потоку заряда, локализованному на поверхности материала[1][7]. В обоих случаях разница в размерностях зарядового и спинового тока приводит к соотношению, которое по размерности имеет единицу длины: отсюда произошло название этого параметра эффективности[1].

Аналитически значение двумерной плотности электрического тока можно вычислить, используя кинетическое уравнение Больцмана и, учитывая действие электрического поля , в результате чего[1][9]

,

где  — элементарный заряд,  — время релаксации по импульсам, и  — волновой вектор Ферми и скорость Ферми соответственно, и  — приведённая постоянная Планка. Плотность спинового тока также можно вычислить аналитически путём интегрирования по поверхности Ферми произведения спиновой поляризации и соответствующей функции распределения. В случае эффекта Эдельштейна эта величина приводит к величине[1][9]

,

где  — единичный вектор, перпендикулярный поверхности, по которой течёт электрический ток. Из этих формул следует ортогональность спиновой и зарядовой плотностей тока[1].

Что касается эффект Эдельштейна и его обратного эффекта, эффективность преобразования составляет[1]:

.[1][2]

Этот параметр считается условно положительным для контура Ферми со спиральностью против часовой стрелки[2]. Вывод длины Рашбы — Эдельштейна аналогичем выводу для эффекта Эдельштейна, за исключением , который заменяется параметром Рашбы [9], то есть , в результате чего[1]:

.

Длину Рашбы — Эдельштейна исследуемого материала можно сравнить с другими эффективностями взаимопреобразования спина и заряда[2], таких как спиновый угол Холла[1], чтобы установить, является ли этот материал эффективным преобразователем спина и заряда, и, следовательно, если бы он мог быть пригоден для приложений спинтроники[2]. Длину Рашбы — Эдельштейна (эффективность двумерного взаимного преобразования спина и заряда) можно эффективно сравнить со спиновым углом Холла (эффективность взаимного преобразования спина и заряда в 3D), разделив параметр толщины спин-расщёпленных поверхностных состояний, в которых происходит это двумерное преобразование[4]. Этот «эквивалентный» спинового угола Холла для эффекта Рашбы — Эдельштейна часто приводит к тому, что он близок к единице или даже превышает единицу[4]: эффект Рашбы — Эдельштейна в среднем является более эффективным механизмом взаимного преобразования спина и заряда, чем спиновый эффект Холла, и это может привести в будущем к промышленному использованию материалов, демонстрирующих этот эффект[2][4][20].

Примечания

[править | править код]
  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 Zucchetti, Carlo (2019). "Spin-charge interconversion in Ge-based structures". www.politesi.polimi.it. hdl:10589/145725.
  2. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Rojas-Sánchez, J.-C. (1 March 2016). "Spin-pumping into surface states of topological insulator α-Sn, spin to charge conversion at room temperature". Physical Review Letters. 116 (9). arXiv:1509.02973. doi:10.1103/PhysRevLett.116.096602. PMID 26991190.
  3. 1 2 Edelstein, V.M. (January 1990). "Spin polarization of conduction electrons induced by electric current in two-dimensional asymmetric electron systems". Solid State Communications. 73 (3): 233—235. Bibcode:1990SSCom..73..233E. doi:10.1016/0038-1098(90)90963-C.
  4. 1 2 3 4 5 6 Rojas-Sánchez, J. C. (17 December 2013). "Spin-to-charge conversion using Rashba coupling at the interface between non-magnetic materials". Nature Communications. 4 (1). Bibcode:2013NatCo...4.2944S. doi:10.1038/ncomms3944. PMID 24343336.
  5. Zhang, H. J. (22 April 2015). "Charge-to-Spin Conversion and Spin Diffusion in Bi/Ag Bilayers Observed by Spin-Polarized Positron Beam". Physical Review Letters. 114 (16). Bibcode:2015PhRvL.114p6602Z. doi:10.1103/PhysRevLett.114.166602. PMID 25955066.
  6. Mellnik, A. R. (23 July 2014). "Spin-transfer torque generated by a topological insulator". Nature. 511 (7510): 449—451. arXiv:1402.1124. Bibcode:2014Natur.511..449M. doi:10.1038/nature13534. PMID 25056062.
  7. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Bottegoni, F. (17 February 2020). "Spin-charge interconversion in heterostructures based on group-IV semiconductors". La Rivista del Nuovo Cimento. 43 (2): 45—96. Bibcode:2020NCimR..43...45B. doi:10.1007/s40766-020-0002-0.
  8. Schliemann, John (14 October 2003). "Anisotropic transport in a two-dimensional electron gas in the presence of spin-orbit coupling". Physical Review B. 68 (16). arXiv:cond-mat/0306528. Bibcode:2003PhRvB..68p5311S. doi:10.1103/PhysRevB.68.165311.
  9. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Gambardella, Pietro (13 August 2011). "Current-induced spin–orbit torques". Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences. 369 (1948): 3175—3197. Bibcode:2011RSPTA.369.3175G. doi:10.1098/rsta.2010.0336. PMID 21727120.
  10. 1 2 3 4 Hasan, M. Z. (8 November 2010). "Colloquium: Topological insulators". Reviews of Modern Physics. 82 (4): 3045—3067. arXiv:1002.3895. Bibcode:2010RvMP...82.3045H. doi:10.1103/RevModPhys.82.3045.
  11. Isasa, Miren (13 January 2016). "Origin of inverse Rashba–Edelstein effect detected at the Cu/Bi interface using lateral spin valves". Physical Review B. 93 (1). Bibcode:2016PhRvB..93a4420I. doi:10.1103/PhysRevB.93.014420.
  12. Dyakonov, Mikhail I. Spin physics in semiconductors. — Springer, 2008. — ISBN 978-3-540-78819-5.
  13. 1 2 Shen, Ka (5 March 2014). "Microscopic Theory of the Inverse Edelstein Effect". Physical Review Letters. 112 (9). arXiv:1311.6516. Bibcode:2014PhRvL.112i6601S. doi:10.1103/PhysRevLett.112.096601. PMID 24655266.
  14. Cai, Shu (23 November 2018). "Independence of topological surface state and bulk conductance in three-dimensional topological insulators". npj Quantum Materials. 3 (1). arXiv:1807.02000. Bibcode:2018npjQM...3...62C. doi:10.1038/s41535-018-0134-z.
  15. Manchon, A. (20 August 2015). "New perspectives for Rashba spin–orbit coupling". Nature Materials. 14 (9): 871—882. arXiv:1507.02408. Bibcode:2015NatMa..14..871M. doi:10.1038/nmat4360. PMID 26288976.
  16. Xu, Yongbing. Handbook of spintronics / Yongbing Xu, David D. Awschalom, Junsaku Nitta. — 1st. 2016. — 11 March 2016. — P. 1–1596. — ISBN 978-94-007-6893-2.
  17. Lampel, Georges (4 March 1968). "Nuclear Dynamic Polarization by Optical Electronic Saturation and Optical Pumping in Semiconductors". Physical Review Letters. 20 (10): 491—493. Bibcode:1968PhRvL..20..491L. doi:10.1103/PhysRevLett.20.491.
  18. Meier, F. Optical Orientation / F. Meier, B.P. Zakharchenya. — Elsevier Science, 1 November 1984. — ISBN 9780444599919.
  19. Dyakonov, Michel. Theory of Optical Spin Orientation of Electrons and Nuclei in Semiconductors // Optical Orientation / Michel Dyakonov, Valerie Perel. — 1984. — Vol. 8. — P. 11–71. — ISBN 9780444867414. — doi:10.1016/B978-0-444-86741-4.50007-X.
  20. Ghiasi, Talieh S. (13 August 2019). "Charge-to-Spin Conversion by the Rashba–Edelstein Effect in Two-Dimensional van der Waals Heterostructures up to Room Temperature". Nano Letters. 19 (9): 5959—5966. arXiv:1905.01371. Bibcode:2019NanoL..19.5959G. doi:10.1021/acs.nanolett.9b01611. PMID 31408607.