Эберс, Джуэл Джеймс (|Qyjv, :'rzl :'ywbv)
| Джуэл Джеймс Эберс | |
|---|---|
| англ. Jewell James Ebers | |
 | |
| Дата рождения | 25 ноября 1921 |
| Место рождения | Гранд-Рапидс |
| Дата смерти | март 1959 г. |
| Страна | США |
| Род деятельности | инженер |
| Научная сфера | Физика полупроводников |
| Место работы | Bell Labs |
| Альма-матер | Университет штата Огайо |
| Известен как | Соавтор модели Эберса—Молла |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Джу́эл Джеймс Э́берс (англ. Jewell James Ebers, родился в 1921 году, умер в марте 1959 года) — американский физик, соавтор простейшей математической модели биполярного транзистора — модели Эберса — Молла.
Биография
[править | править код]Джуэл Джеймс Эберс родился и вырос в городе Гранд-Рапидс, штат Мичиган. Обучение в Антиохийском колледже[англ.] было прервано Второй мировой войной[1]. Отслужив три года в армии США, Эберс в 1946 году окончил курс в колледже, а затем продолжил обучение на электротехническом факультете Университета Огайо[1]. В 1947 году Эберс получил диплом магистра, в 1950 году — звание доктора философии. В 1951 году, после непродолжительной преподавательской работы, перешёл на работу в Bell Labs — один из двух крупнейших частных научно-исследовательских институтов США[2]. Эберс показал себя способным администратором и быстро продвинулся по службе, достигнув к 1959 году поста директора филиала Bell Labs в Аллентауне[1].
Важнейшим вкладом Эберса в электронику стало создание в 1954 году[3], совместно с Джоном Моллом, первой практической и удобной для расчётов математической модели биполярного транзистора.
Модель Эберса — Молла, включает в себя идеальные диоды, идеальные управляемые источники тока и паразитных емкостей, удачно подошла под требования и вычислительные ограничения ранних программ машинного моделирования электронных цепей и стала составной частью многих программ моделирования электронных цепей, например, SPICE, Microcap и других средств САПР. Модель Эберса — Молла в которой два диода и два источника тока — основная (простейшая) модель биполярного транзистора.
Последовательное усложнение модели Эберса — Молла с целью уточнения её «в конце концов приводит» к совершенной (и требующей для описания не менее 25 параметров) модели Гуммеля — Пуна[4]. Вторым по значимости вкладом Эберса в электронику стала разработка им в 1952 году первого четырёхслойного полупроводникового pnpn-прибора, впоследствии названного тиристором[5].
В 1971 году секция электронных приборов IEEE учредила ежегодную премию Эберса, присуждаемую «за выдающийся инженерный вклад в области электронных приборов»[1].
Примечания
[править | править код]- ↑ 1 2 3 4 Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19, № 9. — P. 613.: «For an outstanding technical contribution to electron devices»
- ↑ Вторым был комплекс лабораторий General Electric в Скенектади
- ↑ Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42, № 12. — P. 1761–72.
- ↑ Зи, C. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — С. 161—163. — 456 с. — 16 000 экз.
- ↑ Hubner, K. The four-layer diode in the cradle of Silicon Valley // Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology / Huff, H.. — The Electrochemical Society, 1998. — P. 99—109. — 1638 p. — ISBN 9781566771931.