Шкловский, Борис Ионович (Otlkfvtnw, >kjnv Nkukfnc)
| Борис Ионович Шкловский | |
|---|---|
| Дата рождения | 31 января 1944 (80 лет) |
| Место рождения | СССР |
| Страна |
 СССР ->  США |
| Род деятельности | физик |
| Научная сфера | теоретическая физика |
| Место работы | |
| Альма-матер |
|
| Учёная степень | д.ф.-м.н. (1973) |
| Награды и премии |
Золотая медаль имени Л. Д. Ландау (1986) Премия Оливера Бакли (2019) |
| Сайт | tpi.umn.edu/shklovskii/ |
Борис Ионович Шкловский (род. 31 января 1944 СССР) — советский и американский физик-теоретик, профессор. Известен созданной им совместно с физиком А. Л. Эфросом теорией прыжкового транспорта электронов с переменной длиной прыжка. Член НАН США (2023)[1].
Карьера
[править | править код]После окончания физического факультета Ленинградского государственного университета[2] поступил в аспирантуру Физико-технического института (ФТИ) имени Иоффе и в 1968 году стал кандидатом физико-математических наук. Затем около двадцати лет работал на различных научных должностях в ФТИ. В годы Перестройки переехал в США, где стал работать в Миннесотском университете.
Научные интересы
[править | править код]Круг интересов Б. И. Шкловского как исследователя достаточно широк. Он изучал теорию переноса заряда в твёрдых телах, электронные корреляции, неупорядоченные полупроводниковые системы, металлические фазовые переходы, квантовый эффект Холла, занимался теорией ионисторов. Длительное время сотрудничал с А. Л. Эфросом[3]; вместе они опубликовали ряд работ с использованием модели кулоновской щели в спектре локализованных электронных состояний. Ттакже в сферу интересов Шкловского входит биофизика: ионная устойчивость, перенос ионов и ДНК через ионные каналы и др.
Награды
[править | править код]- Награждён медалью имени Л. Д. Ландау от Академии наук СССР в 1986 году[2][4]
- С 1994 года член Американского физического общества[5]
Библиография
[править | править код]- Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с. — (Физика полупроводников н полупроводниковых приборов). — 4500 экз. — doi:10.3367/UFNr.0130.198003f.0521.
- Эфрос, А. Л., Шкловский, Б. И. Кулоновская щель и низкотемпературная проводимость неупорядоченных систем. — М.: Journal of Physics, 1974. — Т. 8. — (Физика полупроводников н полупроводниковых приборов). — 4 экз. — doi:10.1088/0022-3719/8/4/003.
Примечания
[править | править код]- ↑ 2023 NAS Election. Дата обращения: 4 мая 2023. Архивировано 3 мая 2023 года.
- ↑ 1 2 Boris Shklovskii-Physics at Minnesota (англ.). www.physics.umn.edu. Дата обращения: 29 сентября 2018. Архивировано 2 октября 2018 года.
- ↑ Coulomb Gap | Universität Stuttgart (20 ноября 2008). Дата обращения: 29 сентября 2018. Архивировано из оригинала 20 ноября 2008 года.
- ↑ UMN CSE Endowed Chairs and Professorship. Дата обращения: 1 октября 2018. Архивировано из оригинала 28 марта 2016 года.
- ↑ Faculty Awards-Physics at Minnesota (англ.). www.physics.umn.edu. Дата обращения: 29 сентября 2018. Архивировано 26 февраля 2019 года.
Ссылки
[править | править код]- tpi.umn.edu/shklovskii/ (англ.) — официальный сайт Бориса Ионовича Шкловского
- National Public Radio Blog (англ.)
- Родившиеся 31 января
- Родившиеся в 1944 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в СССР
- Преподаватели Миннесотского университета
- Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
- Выпускники Санкт-Петербургского государственного университета
- Доктора физико-математических наук
- Учёные по алфавиту
- Физики по алфавиту
- Физики XX века
- Физики-теоретики СССР
- Физики-теоретики США
- Выпускники физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета
- Лауреаты премии имени Л. Д. Ландау
- Действительные члены Американского физического общества
- Члены Национальной академии наук США
- Русские эмигранты четвёртой волны в США