Фальковский, Леонид Александрович (Sgl,tkfvtnw, Lykun; Glytvgu;jkfnc)

Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Фальковский.
Леонид Александрович Фальковский
Дата рождения 16 октября 1936(1936-10-16)
Место рождения Москва, СССР
Дата смерти 27 марта 2020(2020-03-27) (83 года)
Место смерти Москва, Россия
Страна  СССР→ Россия
Род деятельности физик-теоретик
Научная сфера теоретическая физика
Место работы ИТФ им. Ландау
Альма-матер физический факультет МГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Научный руководитель Абрикосов, Алексей Алексеевич

Леонид Александрович Фальковский (16 октября 1936, Москва — 27 марта 2020)[1] — советский и российский физик-теоретик, доктор физико-математических наук, профессор Московского физико-техническом института[1].

Биография

[править | править код]

Родился в Москве 16 октября 1936 года в семье художника Александра Павловича Фальковского, который позже стал главным художником Союзгосцирка, и его жены Раисы Алексеевны Шустиной, которая была учителем истории, и впоследствии стала директором школы-интерната[1]. Дед по матери ― золотых дел мастер А. Ф. Шустин[2].

В 1954 году поступил на физический факультет Московского государственного университета, где учился у Л. Д. Ландау. В 1959 году его фамилия значится под номером 31 в принадлежащем руке Ландау, списке сдавших ему теорминимум. Тогда же он становится аспирантом А. А. Абрикосова[1], под руководством которого защитил в 1960 году дипломную работу и в 1963 году кандидатскую диссертацию[2] по теме «Теория электронного энергетического спектра металлов типа висмута»[3].

В 1966 году стал сотрудником Института теоретической физики им. Л. Д. Ландау и много лет был учёным секретарем Диссертационного совета при иституте. Преподавал в Московском физико-техническом институте (МФТИ), где был избран профессором, принимал активное участие в издании научной литературы[1]. Преподавал на физфаке и мехмате МГУ, в МИРЭА[2].

В 1980—2005 годах работал в Институте молекулярной физики в Познани (Польша), и был приглашённым профессором в Лаборатории полупроводников Университета Монпелье (Франция)[2].

В последние годы совмещал научную деятельность в Институте Ландау с работой в Институте физики высоких давлений РАН, руководил работой российской группы, посвящённом изучению свойств графена[1]

Вклад в науку

[править | править код]

Первая совместная работа с А. А. Абрикосовым «Комбинационное рассеяние света в сверхпроводниках», опубликованная в ЖЭТФ в 1961 году[4], становится классической как в теории сверхпроводимости, так и для последующих исследований в области комбинационного (рамановского) рассеяния[1].

За ней, в 1962 году, следует работа тех же авторов об энергетическом спектре электронов в металлах с решёткой висмута[5], где рассматривается деформационная теория, которая на многие годы вперед указала путь для исследований данного материала и его сплавов. В этой работе появился спектр дираковских фермионов[1].

Применение методов теоретической физики в тесном взаимодействии с экспериментом — характерный для школы Ландау научный стиль, проявился в последующей серии работ. Посредством выбора граничного условия для функции распределения приповерхностных электронов[6][7], которое называется условием Фальковского[8], рассматриваются скин-эффект, циклотронный резонанс, сопротивление тонких плёнок и проволок[9][10][1].

Позже Л. А. Фальковский изучал свойства примесных состояний, краевых состояний в квантовых точках, сверхбыстрых процессов релаксации решётки и другими актуальными задачами физики металлов и полупроводников[11][12][1].

В конце жизни Л. А. Фальковсктй занимался исследованием физических свойств графена. Его результаты получили известность и широко признаны сегодня мировым сообществом, например работы по кинетике электронов, оптике, магнитооптике, динамическим свойствам этого материала. Помимо найденной частотной дисперсии динамической проводимости графена, многослойного графена и полупроводников IV—VI групп, была обнаружена аномально большая диэлектрическая проницаемость на пороге прямых межзонных переходов в полупроводниках IV—VI групп[13][14][15][16]. Этот результат оказался обусловлен узким зазором и линейностью электронного спектра, которые характерны для этих материалов. Фальковский нашел, что коэффициент пропускания графена в оптическом диапазоне не зависит от частоты, а его отклонение от единицы даёт значение постоянной тонкой структуры. Он показал, в чём заключается общность, а в чём различия в характере плазмонов и электромагнитных волн, распространяющихся вблизи порога поглощения в полупроводниках и графене[17].

Избранные публикации

[править | править код]
Основной источник: [18]
  • Abrikosov, A. A.; Fal’kovskii, L. A. (1961). "Raman Scattering of Light in Superconductors" (PDF). JETP. 13: 179.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)[4]
  • Абрикосов А. А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металла с решеткой висмута // ЖЭТФ. — 1962. — Т. 43. — С. 1089—1101.
  • Khaikin, M. S.; Fal’kovskii, L. A.; Edel’man, V. S.; Mina, R. T. (1964). "Properties of Magnetoplasma Waves in Bismuth Single Crystals" (PDF). Sov. Phys. JETP. 18: 1167–1175.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
  • Fal’kovskii, L. A. (1963). "Theory of electron spectra of bismuth type metals in a magnetic field" (PDF). Sov. Phys. JETP. 17: 1302—1305.
  • Фальковский Л. А. (1970). "Диффузное граничное условие для электронов проводимости" (PDF). Письма в ЖЭТФ. 11: 222–226.
  • Fal’kovskii, L. A. (1971). "Skin Effect on a Rough Surface" (PDF). Sov. Phys. JETP. 33: 454—457.
  • Фальковский Л. А. О некоторых граничных задачах со случайной поверхностью // Успехи мат. наук. — 1974. — Т. 29:3. — С. 245—246.
  • Fal’kovskii, L. A. (1973). "The resistance of thin metallic samples" (PDF). Sov. Phys. JETP. 37: 937–939.
  • L. A. Falkovsky. Theory of impurity states in Bi-Sb alloys (англ.) / Ed. by M. Krusius, M. Vuorio. — North-Holland, 1975. — Vol. 3. — P. 134-136. — xiii+525 p. — (Proc. Int. Conference on Low Temperature Physics. Otaniemi, Finland, 14 Aug 1975).
  • Фальковский Л. А. О влиянии магнитного поля на примесные состояния в веществе с узкой запрещенной зоной // Физика тверд. тела. — 1975. — Т. 17. — С. 2849—2856.
  • Fal’kovskii, L. A. "Impurity states in substances with narrow energy gaps" (PDF). Sov. Phys. JETP.
  • Falkovsky, L. A. (2008). "Optical properties of graphene". Journal of Physics: Conference Series. 129: 012004. doi:10.1088/1742-6596/129/1/012004.
  • Falkovsky, L. A.; Varlamov, A. A. (2007). "Space-time dispersion of graphene conductivity". The European Physical Journal B. 56: 281—284. doi:10.1140/epjb/e2007-00142-3.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
  • Falkovsky, L. A.; Pershoguba, S. S. (2007). "Optical far-infrared properties of a graphene monolayer and multilayer". Physical Review B. 76: 153410. doi:10.1103/PhysRevB.76.153410.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
  • Falkovsky, L. A. (2008). "Optical properties of graphene and IV–VI semiconductors". Physics-Uspekhi. 51: 887—897. doi:10.1070/PU2008v051n09ABEH006625.

Диссертации

[править | править код]

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 УФН, 2020, с. 1.
  2. ↑ 1 2 3 4 Фальковский Илья, 2020.
  3. ↑ Фальковский, Леонид Александрович, 1963.
  4. ↑ 1 2 Abrikosov, Fal’kovskii, 1961.
  5. ↑ Абрикосов, Фальковский, 1962.
  6. ↑ Фальковский, 1970.
  7. ↑ Фальковский, 1974.
  8. ↑ Зебрев Г. И. Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое // Физика и техника полупроводников. — 1990. — Т. 24. — С. 908—912.
  9. ↑ Fal’kovskii, 1971.
  10. ↑ Fal’kovskii, 1973.
  11. ↑ Falkovsky, 1975.
  12. ↑ Фальковский, 1975.
  13. ↑ Falkovsky, Optical properties of graphene, 2008.
  14. ↑ Falkovsky, Varlamov, 2007.
  15. ↑ Falkovsky, Pershoguba, 2007.
  16. ↑ Falkovsky, Optical properties of graphene and IV–VI semiconductors, 2008.
  17. ↑ УФН, 2020, с. 2.
  18. ↑ УФН, 2020, с. 3.

Литература

[править | править код]

Ссылки

[править | править код]
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Фальковский,_Леонид_Александрович&oldid=141609799