Трушин, Юрий Владимирович (учёный) (Mjronu, ?jnw Flg;nbnjkfnc (rc~udw))

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Трушин; Трушин, Юрий Владимирович.

Юрий Владимирович Трушин
Дата рождения	14 августа 1945(1945-08-14) (79 лет)
Место рождения	Ленинград, РСФСР, СССР
Страна	СССР  Россия
Род деятельности	физик
Научная сфера	теория и компьютерное моделирование в физике конденсированного состояния, физике полупроводников, физике высокотемпературных сверхпроводников
Место работы	СПб АУ РАН, ФТИ РАН, СПбГПУ
Альма-матер	Санкт-Петербургский университет
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1989)
Учёное звание	профессор  (1991)
Награды и премии

Ю́рий Влади́мирович Тру́шин (род. 1945) — советский и российский учёный, специалист по теоретической физике полупроводников. Доктор физико-математических наук, профессор, академик РАЕН. Заслуженный деятель науки Российской Федерации.

Биография

• Родился 14 августа 1945 года в Ленинграде.
• В 1969 г. окончил физический факультет Ленинградского государственного университета (кафедра квантовой механики) по специальности «теоретическая физика».
• В том же 1969 году начал научную карьеру в ЦНИИ им. акад. А. Н. Крылова.
• С 1972 г. по совместительству преподавал в ЛПИ, ЛТИ, ЛИТМО, СПб Академическом университете; с 1991 года по 2017 — профессор кафедры нанотехнологий Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (бывший ЛПИ),с 2011 года профессор кафедры физики конденсированного состояния Академического университета.
• С 1974 года по настоящее время работает в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) РАН, прошёл должностной путь до главного научного сотрудника сектора теоретических основ микроэлектроники (основное место работы до 2004 г.);
• В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию в ЛПИ по специальности 01.04.07 «физика твёрдого тела», тема: «Теория радиационных каскадов в твёрдом теле».
• В 1989 году защитил докторскую диссертацию в Московском институте электронного машиностроения, также по специальности «физика твёрдого тела», тема: «Теория радиационных процессов в твёрдых растворах замещения на разных стадиях распада».
• В 1999 г. избран членом-корреспондентом РАЕН, а в 2004 году — академиком РАЕН.
• С 2004 г. — учёный секретарь Научно-образовательного центра нанотехнологий РАН, затем — учёный секретарь Санкт-Петербургского академического университета, главный научный сотрудник лаборатории физики наноструктур, затем лаборатории нанобиотехнологий, в н/в руководитель Научного Музея Академического университета.

Научная и педагогическая работа

Область научных интересов Ю. В. Трушина — теория и компьютерное моделирование физических процессов, кинетики эволюции структурных дефектов и радиационных воздействий в многокомпонентных кристаллических материалах (металлы, полупроводники, высокотемпературные материалы). Автор более 250 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, включая брошюры и 8 книг. Некоторые статьи вышли в международных журналах высшего уровня: Physical Review B, Journal of Applied Physics и других. Имеет порядка 1000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша — 11 (данные РИНЦ на 2017 год).

Ю. В. Трушин — профессор (звание присвоено в 1991 г.). Читает курсы в Академическом университете:

• «Физическое материаловедение» (бакалавриат VI—VII семестры), к курсу написаны учебник «Физическое материаловедение», СПб, Изд-во «Наука», 2000, и учебное пособие «Физические основы материаловедения», СПб, Изд-во Академического университета, 2015;

• «История физики первой половины XX века» (магистратура, I—II семестры), к которому написано пособие «Очерки по истории физики первой половины XX века». Часть I., СПб, Изд-во Академического университета, 2012.

Организационная деятельность

Ю. В. Трушин участвует в работе трёх диссертационных советов:

1. ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, N Д 002.205.02
2. Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, N Д 212.229.29
3. Санкт-Петербургский Академический университет РАН, N ДМ 002.268.01;

и научного совета:

1. Отделения физических наук РАН по радиационной физике твёрдого тела

Входил в состав редколлегии Журнала технической физики, в н/в – член Редколлегии журнала «Письма в Журнал технической физики».

Наиболее значимые публикации

Книги и брошюры

1. Ю. В. Трушин. Проблемы современной энергетики. Л.: Знание, 1982.
2. А. Н. Орлов, Ю. В. Трушин. Энергии точечных дефектов в металлах. М.: Энергоатомиздат, 1983.
3. В. В. Кирсанов, А. Л. Суворов, Ю. В. Трушин. Процессы радиационного дефектообразования в металлах. Энергоатомиздат, 1985.
4. С. Н. Романов, Ю. В. Трушин, В. И. Штанько. Моделирование на ЭВМ радиационных процессов в твёрдых телах. (Методические указания для студентов). Л.: изд. Лен. Технологического института, 1988.
5. Yu.V.Trushin. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. New York, Nova Science Publishers, 1996, USA.
6. Ю. В. Трушин. Физические основы радиационного материаловедения (Учебное пособие). СПб.: изд. СПб ГТУ, 1996.
7. Ю. В. Трушин. Физическое материаловедение (Учебник для вузов). СПб.: Наука, 2000.
8. Ю. В. Трушин. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах (теория и компьютерное моделирование). СПб.: изд. ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2002.
9. Ю. В. Трушин. Очерки истории физики первой половины XX века. Часть I. Становление квантовой механики — основы современной физики. СПб.: изд. Академического университета, серия «Лекции в Академическом университете», том 2, 2012.
10. Ю. В. Трушин. Физические основы материаловедения. СПб.: изд. Академического университета, серия «Лекции в Академическом университете», том 3, 2015.

Научные статьи

1. Ю. В. Трушин, Кинетика образования каскадов в кристаллах. // ФТТ, 1974, Т.16, С.3435-3436.
2. A.N.Orlov, Yu.V.Trushin, Theory of the Spatial Distribution of Defects in Radiation Cascades in Crystals. // Radiation Effects, 1981, V.56, P.193 — 204.
3. А. М. Паршин, Ю. В. Трушин, Свойство пересыщенных твёрдых растворов усиливать рекомбинацию разноимённых дефектов. // Письма в ЖТФ, 1983, Т.9, С.561 — 564.
4. А. Н. Орлов, Ю. В. Трушин. Моделирование на ЭВМ взаимодействия быстрых частиц с кристаллами. // Природа, 1983, N 10, С.34 — 43.
5. А. Н. Орлов, А. М. Паршин, Ю. В. Трушин, Физические аспекты ослабления радиационного распухания конструкционных материалов. // ЖТФ, 1983, Т.53, С.2367 — 2372
6. С. К. Джапаридзе, Ю. В. Трушин, Цепочки замещающих столкновений в двухатомных кристаллах. // ЖТФ, 1985, Т.55, С.1824 — 1826.
7. Ю. В. Трушин, В.Помпе, Распределение точечных дефектов в поле напряжений около выделений второй фазы. // Письма в ЖТФ, 1985, Т.11, С.393-397.
8. Н. П. Калашников, Ю. В. Трушин, Энергетика — излучения — кристаллы. Природа, N 8, 1985, с. 24 — 34.
9. A.N. Orlov, G.G.Samsonidze, Yu.V.Trushin, Theory of the Precipitate Growth under Irradiation. // Radiation Effects, 1986, V.97, P.45 — 66.
10. В. В. Кирсанов, Ю. В. Трушин. Облучение напряженных металлов. П// рирода, N 11, 1986, С. 69 — 74.
11. Ю. В. Трушин, Распределение собственных точечных дефектов около сферических выделений второй фазы под облучением. // ЖТФ, 1987, Т. 57, С. 226—231.
12. Yu.N.Eldyshev, Yu.V.Trushin, Small Interstitial Clusters as Recombination Centers in Decomposing Solid Solutions during Irradiation. Proc. Int.Conf. on Ion Implantation and Ion Beam Equipment, Bulgaria, Elenite, Sept.1990, World Scientific, 1991, P. 168—174.
13. Yu.V. Trushin. Point Defect Flows and Radiation Swelling in a Biphase Material. // J. Nucl. Materials, 1991, V.185, P.268 — 272.
14. Yu.V.Trushin, Theory of Radiation Processes in Decomposed Solid Solutions. // J. Nucl. Materials, 1991, V.185, P.279 — 285.
15. Ю. В. Трушин. Влияние предвыделений вторичной фазы на радиационное распухание распадающихся твердых растворов. // ЖТФ, 1992, т.62, с.1 — 22.
16. Yu.V.Trushin. Theory of Radiation Processes in Decomposed Solid Solutions. // J. Nucl. Materials, 1991, V.185, P.279.
17. D.E.Dolin, A.L.Suvorov, Yu.V.Trushin. A New Method of Study the Interaction of Irradiation induced Point Defects with Structural Sinks in Metals. // Materials Science Forum, 1992, V.97 — 99, P.217 — 222.
18. D.V.Kulikov, R.A.Suris, Yu.V.Trushin, A Model of Interaction of Oxygen Subsystem Defects with Intercrystallite Boundaries in Polycrystalline YBaCuO Film under gamma-Irradiation. // Semiconductor Science and Technology, 1995, V.8, P.303 — 310.
19. B.J.Ber, V.D.Kharlamov, Yu.V.Trushin, E.E.Zhurkin, Computer Simulation of the Polyatomic Multilayered Materials Sputtering with Considering of the Spatial Overlaping of the Collision Cascades. // J. Nucl. Materials, 1996, V.233/237, P.991 — 995.
20. F.M.Sauerzopf, H.W.Weber, Yu.V.Trushin et al. Small Defects in YBCO Single Crystals:TC after Neutron Irradiation and Annealing. // Physica C, 1997, V. 282/287, P. 1333—1334.
21. V.S.Kharlamov, M.Posselt, Yu.V.Trushin et al. Study of Ion Beam Assisted Deposition of Al/AlN Multilayers by Comparison of Computer Simulation and Experiment. // J. Appl. Phys. D, 1998, V.31, P.2241 — 2244.
22. V.S.Kharlamov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin, R.A.Yankov et al. A Computional Model for the Formation of (SiC)1-x (AlN)x Structures by Hot, High-Dose N+ and Al+ Co-Implants // in 6H-SiC. Science Forum, 1998, V.264/268, P.757 — 760.
23. V.S.Kharlamov, D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin. Computer simulation of transition from h-BN to c-BN during ion beam assisted deposition. // Vacuum, 1999, V.52, P.407 — 410.
24. Rybin P.V., J.Pezoldt, Yu.V.Trushin, R.A.Yankov et al. Modelling high-temperature co-implantation of N+ and Al+ ions in silicon carbide: the effect of stress on the implant and damage distributions. // Nucl.Instrum. Meth.(B), 1999, V.147, P.279 — 285.
25. J.Pezoldt, R.A.Yankov, Yu.V.Trushin et al. The Influence of the Implantation Sequence on the (SiC)(AlN) Formation. // Nucl. Instr. Meth. B, 2000, V.166/167, P.758 — 763.
26. V.V.Rybin, Yu.V.Trushin, F.Y.Fedorov, V.S.Kharlamov. Sperical Features of the Effect of Oversized Impurities on the Cascade Development in α-Iron Alloys containing Special Carbides. // Tech. Phys. Lett., 2000, V.26, P.876-878.
27. D.V.Kulikov, F.M.Sauerzopf, Yu.V.Trushin, H.W.Weber. Changes in the transition temperature after irradiation and annealing in single crystalline YBaCuO. // Physica C, 2001, V.355, P.245 — 250.
28. R.Bittner, A.R.Sternberg, Yu.V.Trushin, H.Weber et al. Dielectric Properties of Reactor irradiated Ferroelectric thin Films. // Integrated Ferroelectrics, 2001, v.37, p.275 — 280.
29. V.S.Kharlamov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin et al. The Estimation of Sputtering Yields for SiC and Si. // Nucl.Instr, Meth, B, 2002, V.196, P.39 — 50.
30. D.V.Kulikov, H.W.Weber, Yu.V.Trushin et al. Oxygen Vacancy Defects in antiferroelectric PbZrO3 Thin Film Heterostructures after Neutron Irradiation, Properties and Irradiation Effects. // J.Appl.Phys., 2004, V.96, P.3239 – 3246.
31. D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin, Theoretical Study of Ferroelectric Properties Degradation in perovskite Ferroelectrics and Antiferroelectrics under Neutron Irradiation. // Ferroelectrics, 2004, V.308, P.5 – 16.
32. D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin, H.W.Weber et al. Neutron Irradiation Effects in PZ and PZT Thin Films. // Integrated Ferroelectrics, 2005, V.72, P.47 – 51.
33. K.L.Safonov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin, O.Ambacher. Computer simulation of the early stages of nano scale SiC growth on Si. Mater.Sci.Forum, 2005, v.483-485, p.169 – 172.
34. A.A.Schmidt, K.L.Safonov, Yu.V.Trushin, J.Pezoldt et al. Growth of the Three- Dimensional SiC Clusters on Si modelled by KMC. Comp.Mater. Sci., 2005, V.33, P.375 381.
35. A.A.Schmidt, Yu.V.Trushin, J.Pezoldt et al. Carbon Surface Diffusion and SiC Nanocluster Self- Ordering. Nucl. Inst. & Meth. Phys.B, 2006, V.253, P.241 – 245.
36. Yu.V.Trushin, D.V.Kulikov, K.L.Safonov, Rauschenbach B. Atomic assembly during ion beam assisted growth: kinetic simulation. J. Appl. Phys., 2008, V.103, P.114904-1.
37. M.N. Lubov. D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin. Kinetic Model of Growth of GaAs Nanowires. Tech.Phys.Lett., 2010, V.55, P.85 –91.
38. M.N.Lubov, D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin, Influence of wurtzite-zinc-blende interfacial energy on growth and crystal phase of the III-V nanowires Phys.Stat.Sol.C, 2010, V.7, P.378.
39. V.D.Kharlamov, D.V.Kulikov, J.Pezoldt, P.Masri, Yu.V.Trushin, Designing the Si(100) conversion into SiC(100) by Ge. Phys.Stat.Sol.C, 2010, V.7, P.141 – 144 .
40. O.Kurnosikov, D.V.Kulikov, V.D.Kharlamov, Yu.V.Trushin et al. Temperature-induced evolution of subsurface nanocavities in argon-implanted copper. Phys.Rev. B, 2011, V. 84, P.054109.
41. M.N.Lubov, D.V.Kulikoiv, O.V.Kurnosikov, Yu.V.Trushin. Theoretical Analysis of the Formation of Impurity Precipitates in Nanocavities. I.Thermodynamic Analysis.Tech.Phys., 2013, V.58, P.42 – 49.
42. M.N.Lubov, D.V.Kulikoiv, O.V.Kurnosikov, Yu.V.Trushin. Theoretical Analysis of the Formation of Impurity Precipitates in Nanocavities. II. Kinetics of Impurity Cluster Growth in Pores. Tech.Phys., 2013, V.58, P.335 – 339.
43. D.V.Kulikov, O.V.Kurnosikov, V.S.Kharlamov, Yu.V.Trushin. Evolution of subsurface nanocavities in copper under argon bombardment and annealing. Appl. Surface Science, 2013, V.267, P.128 – 131.
44. M.N.Lubov, Yu.V.Trushin, J.Pezoldt. Kinetic Monte Carlo Simulation of Impurity Effects on Nucleation and Growth of SiC Clusters on Si (100). Mater.Sci.Forum, 2013, V.740/742, P.393 – 396.
45. М.Н.Лубов, М.В.Дубина, Ю.В.Наточин, Ю.В.Трушин и др. Кинетическая модель процесса роста аминокислотных полимеров в водных растворах калия и натрия. Письма в ЖТФ, 2013, Т.39, С.18 – 22.
46. Lubov M.N., Kulikov D.V., Kurnosikov O., Trushin Yu.V. Kinetic simulation of the 3D growth of subsurface impurity nanoclusters during cobalt deposition onto a copper surface. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 2014, V.78, P. 481 – 484.
47. V.S.Kharlamov, D.V.Kulikiv, M.N.Lubov, Yu.V.Trushin. Kinetic Modeling of the Growth of Copper Clusters of Varios Heights in Subsurface Layers of Lead. Tech.Phys.Lett., 2015, V.41, P.961 – 963.
48. М.Н.Лубов, Ю.В. Трушин. Термодинамические оценки критических радиусов поверхностных и подповерхностных кластеров кобальта в системе кобальт−медь. Письма в ЖТФ, 2015, Т. 41, С.104 –110.
49. M.V.Dubina, M.N.Lubov, I.Eliseev, Yu.V.Trushin. Computer Simulation of Amino Acid Oligomerization in Aqueous Solutions induced by Condensing Agent. J.Chemistry, 2015, V.2015, Art N 563065, SIR 0.208.
50. M.N. Lubov, D.V.Kulikov, V.S.Kharlamov, J.Pezoldt, Yu.V.Trushin. Concentration Profile Simulation of SiC/Si Heterostructures. Mater. Sci. Forum, 2016, V.858, P.501- 504.
51. A.S. Sokolovsky, M.N.Lubov, M.V.Dubina, Yu.V.Trushin. A numerical Model of Protein Cristallisation with counter Diffusion Method. J.Phys., 2016, V.741, 012053 (5 pages).
52. M.N.Lubov, D.V.Kulikov, Yu.V.Trushin. Formation and Growth of Subsurface Cobalt Clusters in Copper. Phys.Stat.Sol.B, 2017, V.254, N 11, P.1700250, DOI:10.1002/ pssb.201700250.

Награды и признание

• Почётное звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации» (2008).

Ссылки

• Трушин, Юрий Владимирович (учёный) на математическом портале Math-Net.Ru