Слой обогащения (Vlkw kQkigpyunx)

Перейти к навигации Перейти к поиску

Слой обогаще́ния (также: слой аккумуляции [от англ. accumulation layer], обогащённый/аккумуляционный слой, или о́бласть обогащения/аккумуляции) — область в полупроводнике около его поверхности или стыка с другим материалом, концентрация основных носителей заряда в которой больше, чем в равновесном состоянии полупроводника. Типичная толщина этого слоя составляет несколько нанометров.

Определение по ГОСТ

[править | править код]

Согласно ГОСТ 15133-77[1], обогащённый слой определяется как

слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.

Структуры с обогащённым слоем

[править | править код]
Обогащенный слой в полупроводнике n-типа. 1 - металл, 2 - диэлектрик, 3 - обогащенный основными носителями слой, 4 - полупроводник n-типа

Чаще всего изучается обогащённый слой в МОП-структуре (МОП = Металл — Оксид — Полупроводник), формирующийся при приложении достаточно высокого прямого ("-" на металл в случае подложки p-типа, или "+" на металл для n-подложки, см. рис.) напряжения. Данный режим работы МОП-структуры называется режимом обогащения или аккумуляции.

Поскольку МОП-структура может являться составной частью важнейшего прибора твердотельной электроники — полевого транзистора, изучение её работы в различных условиях, в том числе в режиме аккумуляции, весьма актуально (хотя наиболее значим режим инверсии).

Кроме того, обогащённый слой может создаваться у гетерограниц в структурах из нескольких полупроводников с разными энергиями сродства к электрону и/или разной шириной запрещённой зоны.

Свойства обогащённого слоя

[править | править код]

Обогащённый слой в полупроводнике n-типа формируется электронами, а в полупроводнике p-типа — дырками.

Толщина обогащённого слоя зависит от материала, концентрации примесных атомов и величины приложенного поля. Характерные значения составляют 2—5 нм. Типичные величины напряжённости поперечного электрического поля — 106—107 В/см, плотности носновных носителей лежат в диапазоне 1011—1013 см-2.

Движение носителей в перпендикулярном направлении квантуется. Распределение потенциала в обогащённом слое и вблизи него рассчитывается путём самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона. При этом оказывается, что максимум плотности заряда смещён от интерфейса примерно на 1 нм, а дно нижней подзоны может отстоять от минимума потенциальной энергии в приповерхностной яме на величину до 0.5 эВ. За счёт квантования снижается плотность состояний, по сравнению с трёхмерным случаем[2].

Примечания

[править | править код]
  1. ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. Дата обращения: 29 сентября 2021. Архивировано 28 сентября 2021 года.
  2. Андо Т., Фаулер А, Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 416 с.

Литература

[править | править код]