Каплан, Даниэль (Tghlgu, :gunzl,)
| Даниэль Каплан | |
|---|---|
| Daniel Kaplan | |
| Дата рождения | 28 апреля 1941 (83 года) |
| Страна |
 Франция |
| Род деятельности | физик |
| Альма-матер | Политехническая школа |
| Награды и премии | |
| Сайт | fastlite.com/en/pag-4646… |
Даниэ́ль Капла́н (род. 28 апреля 1941 г.) - французский физик конденсированного состояния, основная работа которого посвящена электронным свойствам полупроводников, магнитному резонансу и лазерам с ультракороткими импульсами. Он является членом Французской академии наук.
Биография
[править | править код]Даниэль Каплан - физик, работающий в области физики конденсированных сред, магнитного резонанса и лазерной оптики с ультракороткими импульсами. После окончания Политехнической школы (класс 1960) он поступил в Лабораторию конденсированных сред, возглавляемую Ионелем Соломоном[фр.] в Политехнической школе. Защитил докторскую диссертацию о магнитном резонансе электронов проводимости в антимониде индия. [1] Параллельно он исследует новые методы обнаружения магнитного резонанса электронов ( спин- зависимая рекомбинация) и ядер (влияние ядерного поля на магнитосопротивление ). [2]
Карьера
[править | править код]С 1970 по 1972 годы Даниэль Каплан работал в США в исследовательском центре IBM TJ Watson. Используя магнитный резонанс, он исследует структуру тонких слоев аморфного кремния. Это показывает, что в чистом аморфном кремнии для удовлетворения напряжений структуры требуется минимальное число неудовлетворенных химических связей. [3] Эти разрывы связей создают парамагнитные сайты, и уменьшение числа этих сайтов всегда происходит из-за дополнительных химических элементов, таких как водород. Гидрогенизированный аморфный кремний стал основным материалом для производства электронных устройств большой площади, таких как плоские экраны или фотоэлектрические панели.
В 1972 году он поступил в физическую лабораторию Центральной исследовательской лаборатории Thomson CSF (ныне Thales) в Палезо. Его основная исследовательская деятельность сосредоточена на понимании перехода, изолирующего металла в оксиды, такие как диоксид ванадия. [4] Комбинация оптических, электрических и магнитно-резонансных измерений выяснила роли подъема искажения сети и перехода Мотта в этом изменении фазы.Продолжение исследований по аморфному кремнию показывает, что сигналы парамагнитного резонанса, наблюдаемые в поверхностях кристаллов кремния, расщепленных в вакууме, обусловлены загрязнением мелкими частицами аморфного кремния. [5] Это также демонстрирует процесс гидрирования слоев чистого аморфного кремния водородной плазмой. [6] Кроме того, теоретическое объяснение механизма спин-зависимой рекомбинации в кремнии опубликовано в работе Kaplan, Solomon и Mott. [7]
В 1983 году он стал научным руководителем медицинского отделения Thomson CSF (Thomson CGR). Затем руководил исследованиями и разработками в области цифровой радиологии, рентгеновского сканирования и магнитно-резонансной томографии.
В 1988 году он стал главой центральной исследовательской лаборатории Thomson CSF, которая проводит исследования, охватывающие информатику, электронные и оптические устройства и новые методы для бытовой электроники. Президент Французского физического общества с 1992 по 1994 год.
В 1993 году он покинул группу Thomson CSF и создал компанию Alloy для разработки оригинального способа проведения исследований государственно-частного партнерства. Компания Alloy нанимает молодых исследователей для работы в государственных лабораториях, во Франции или за рубежом, над промышленными проектами, менеджером которых является Даниэль Каплан. Он неоднократно представляет этот режим работы и его важность на конференциях. [8]
В 1999 году он основал фирму Fastlite вместе с P Tournois для разработки и производства приборов в области ультракоротких лазерных импульсов. Флагманским продуктом компании станет оригинальное акустооптическое устройство (Dazzler ™), позволяющее электронное программирование спектральной фазы этих лазеров. [9] Это программирование является важным инструментом для реализации метода CPA ( чирпированного импульсного усиления ), изобретенного Муру́ и Стрикленд (Нобелевская премия 2018 г.), который глубоко изменил характеристики ультраинтенсивных лазеров. Компания также изобретет и коммерциализирует новый метод измерения временной формы импульсов. [10] Дэниел Каплан - президент компании Fastlite, которая продолжает изучать способы параметрического усиления ультракоротких импульсов.
Награды и звания
[править | править код]- Кавалер Ордена Почётного легиона (2013)[11]
- Член Французской академии наук, избран 5 ноября 2001 года [12]
- Член Французской академии технологий в 2000 году
- Медаль Блонделя, присуждаемой Обществом электричества, электроники и информационных технологий и связи (1984)
- Сотрудник Национального Ордена Мерит.
Публикации
[править | править код]В сотрудничестве с А. Аспектом, Р. Балианом, Г. Бастардом, Дж.П. Бушо, Б. Кабане, Ф. Комбес, Т. Энкреназ, С. Фове, А. Ферт, М. Финк, А. Жорж, Дж. Ф. Джоанни, Д. Le Bihan, P. Léna, H. Le Treut, JP Poirier, J. Prost и JL Puget, Demain la physique, издания Odile Jacob, 2009 ( ISBN 9782738123053 )
Примечания
[править | править код]- ↑ Kaplan, D. et Gueron, M., « Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l’antominiure d’indium », CRAS, 1965, vol. 260, no 10, p. 2766
- ↑ Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., « Measurement of the hyperfine field contribution to quantum transport by NMR excitation », Solid State Communications, 1971, vol. 9, no 18, p. 1591-1593
- ↑ Thomas, P. A., Brodsky, M. H., Kaplan, D., et al., « Electron spin resonance of ultrahigh vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies », Physical Review B, 1978, vol. 18, no 7, p. 3059
- ↑ D'Haenens, J. P., Kaplan, D., et Merenda, P., « Electron spin resonance in V1-xCrxO2 », Journal of Physics C: Solid State Physics, 1975, vol. 8, no 14, p. 2267
- ↑ Kaplan, D., Lepine, D., Petroff, Y., et al., « New ESR Investigation of the Cleaved-Silicon Surface », Physical Review Letters, 1975, vol. 35, no 20, p. 1376
- ↑ Kaplan, D., Sol, N., Velasco, G., et al., « Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment », Applied Physics Letters, 1978, vol. 33, no 5, p. 440-442
- ↑ Kaplan, D., Solomon, I., et Mott, N. F., « Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors », Journal de Physique Lettres, 1978, vol. 39, no 4, p. 51-54
- ↑ Kaplan D. Faire vraiment coopérer chercheurs et industriels. Séminaire de l'innovation. Ecole de Paris du Management, 17 septembre 1997
- ↑ Kaplan, D. et Tournois, P., « Theory and performance of the acousto optic programmable dispersive filter used for femtosecond laser pulse shaping », Journal de Physique IV (Proceedings). EDP sciences, 2002, p. 69-75
- ↑ Oksenhendler, T., Coudreau, S., Forget, N., Crozatier, V., Grabielle, S.. Herzog, R., Gobert, D., Kaplan, D., « Self-referenced spectral interferometry », Applied Physics B, 2010, vol. 99, no 1-2, p. 7-12
- ↑ Décret du 14 novembre 2013 portant promotion et nomination (14 ноября 2013). Дата обращения: 14 августа 2017. Архивировано 2 декабря 2013 года.
- ↑ Académie des sciences. Дата обращения: 19 декабря 2019. Архивировано 19 декабря 2019 года.
 | ||||
|---|---|---|---|---|
