Кан Дэвон (Tgu :zfku)

Перейти к навигации Перейти к поиску
В этом корейском имени фамилия (Кан) стоит перед личным именем.
Кан Дэвон
강대원
Дата рождения 4 мая 1931(1931-05-04)
Место рождения
Дата смерти 13 мая 1992(1992-05-13) (61 год)
Место смерти
Страна
Научная сфера Инженер-Электрик
Альма-матер
Награды и премии

Кан Дэвон (кор. 강지현, англ. Dawon Kahng, 4 мая 1931 — 13 мая 1992) — корейско-американский инженер-электрик и изобретатель, наиболее популярен своими работами в области твердотельной электроники. Кан Дэвон известен своим изобретением MOSFET, также именуемого как MOS-транзистор. Работа была проделана совместно с Мохамедом Аталлой в 1959 году. Аталла и Кан разработали процессы PMOS и NMOS для изготовления полупроводниковых устройств MOSFET.

MOSFET — это наиболее широко используемый тип транзисторов и основной элемент в структуре современного электронного оборудования.

Биография[править | править код]

Кан Дэвон родился 4 мая 1931 года. Он изучал физику в Сеульском национальном университете в Южной Корее и эмигрировал в Соединенные Штаты в 1955 году, чтобы поступить в Государственный университет Огайо, где в дальнейшем получил докторскую степень по физике.

Кан Дэвон был исследователем в Лаборатории Белла в Марреи — Хилл, штат Нью — Джерси, где изобрел структуру MOSFET, которая является основным элементом большинства современных электронных устройств[1][2].

В 1960 году Мохамед Аталла, а затем в 1961 году Кан Дэвон предложили концепцию интегральной схемы . Они отметили, что простота изготовления МОS-транзистора сделала его полезным для микросхем[3][4] . Однако Лаборатории Белла изначально игнорировала предложение двух ученых, поскольку в то время компания не интересовалась данной продукцией[3].

Расширяя свою работу над MOS-технологией, Аталла и Кан выполнили новаторскую работу над устройствами с горячим носителем, в которых использовалось то, что позже будет называться барьером Шоттки[5]. Оборудование теоретизировались в течение многих лет, но впервые было реализовано в результате работы двух ученых в течение 1960—1961 гг[6] . Они опубликовали свои результаты в 1962 году и назвали свое устройство триодной структурой «горячих электронов»[7].

Барьер Шоттки стал играть важную роль в смесителях[8].

В 1962 году, Аталла и Кан продемонстрировали металл- нанослойный -BASE транзистор . Это устройство имеет металлический слой нанометрической толщины, расположенный между двумя полупроводниковыми рядами, причем металл образует основу, а полупроводники — эмиттер и коллектор. Благодаря низкому сопротивлению и короткому времени прохождения в тонкой металлической нанослойной основе, устройство было способно выполнять свои функции на высокой рабочей частоте по сравнению с биполярными транзисторами. Их новаторская работа заключалась в нанесении металлических слоев (основы) поверх монокристаллических полупроводниковых подложек (коллектора). Они нанесли тонкие пленки золота (Au) толщиной 10 нм на германий n-типа (n-Ge), а точечный контакт на кремний n-типа (n-Si)[9].

После ухода из Лаборатории Белла, Кан Дэвон стал президентом-основателем Исследовательского института в Нью-Джерси. Он также получил медаль Стюарта Баллантайна в Институте Франклина. Давон умер от осложнений после экстренной операции по поводу разрыва аневризмы аорты в 1992 году[10].

Награды[править | править код]

Кан Дэвон и Мохамед Аталла были награждены медалью Стюарта Баллантина на церемонии вручения Института Франклина 1975 года за изобретение полевого МОП-транзистора[11][12][13].

В 2009 году Кан был занесен в Национальный зал славы изобретателей[14]

Несмотря на то, что полевой МОП-транзистор позволил получить Нобелевскую премию за такие достижения техники как квантовый эффект Холла[15] и устройство с зарядовой связью[16], сама структура никогда не присуждалась премии[17].

Примечания[править | править код]

  1. ↑ 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated. Computer History Museum. Дата обращения: 11 ноября 2012. Архивировано 8 октября 2012 года.
  2. ↑ Lojek, Bo. History of Semiconductor Engineering. — Springer Science & Business Media, 2007. — P. 321-3. — ISBN 9783540342588.
  3. ↑ 1 2 Moskowitz, Sanford L. Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. — John Wiley & Sons, 2016. — P. 165–167. — ISBN 9780470508923. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 14 марта 2020 года.
  4. ↑ Bassett, Ross Knox. To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. — Johns Hopkins University Press, 2007. — P. 22–25. — ISBN 9780801886393. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 27 февраля 2017 года.
  5. ↑ Bassett, Ross Knox. To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. — Johns Hopkins University Press, 2007. — P. 328. — ISBN 9780801886393. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 21 марта 2020 года.
  6. ↑ The Industrial Reorganization Act: The communications industry. — U.S. Government Printing Office, 1973. — P. 1475. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 7 марта 2020 года.
  7. ↑ Atalla, M.; Kahng, D. (November 1962). "A new "Hot electron" triode structure with semiconductor-metal emitter". IRE Transactions on Electron Devices. 9 (6): 507—508. Bibcode:1962ITED....9..507A. doi:10.1109/T-ED.1962.15048. ISSN 0096-2430.
  8. ↑ The Industrial Reorganization Act: The communications industry. — 1973. — P. 1475. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 7 марта 2020 года.
  9. ↑ Pasa, André Avelino. Chapter 13: Metal Nanolayer-Base Transistor // Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics. — 2010. — P. 13—1, 13-4. — ISBN 9781420075519. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 4 августа 2023 года.
  10. ↑ New York Times obituary. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 26 июля 2020 года.
  11. ↑ Calhoun, Dave. 1977 Yearbook of science and the future / Dave Calhoun, Lawrence K. Lustig. — Encyclopaedia Britannica, 1976. — P. 418. — «Три ученых были названы лауреатами медали Стюарта Баллантина Института Франклина в 1975 году. [...] Мартин М. Аталла, президент Atalla Technovations в Калифорнии, и Кан Дэвон из Лаборатории Белла были выбраны «за их вклад в технологию полупроводникового диоксида кремния, а также для разработки полевого транзистора с МОП-изоляцией..». — ISBN 9780852293195.
  12. ↑ Dawon Kahng (англ.). Franklin Institute Awards. The Franklin Institute (14 января 2014). Дата обращения: 23 августа 2019. Архивировано 23 августа 2019 года.
  13. ↑ Dawon Kahng. Дата обращения: 27 June2019. Архивировано 27 октября 2019 года.
  14. ↑ Milestones:List of IEEE Milestones. Институт инженеров по электротехнике и электронике. Дата обращения: 25 июля 2019. Архивировано 13 июля 2019 года.
  15. ↑ Lindley, David (15 May 2015). "Focus: Landmarks—Accidental Discovery Leads to Calibration Standard". Physics. 8. doi:10.1103/Physics.8.46. Архивировано 29 июля 2019. Дата обращения: 14 сентября 2020.
  16. ↑ Williams, J. B. The Electronics Revolution: Inventing the Future. — Springer, 2017. — P. 245 & 249. — ISBN 9783319490885. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 15 ноября 2020 года.
  17. ↑ Woodall, Jerry M. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. — Springer Science & Business Media, 2010. — P. 2. — ISBN 9781441915474. Источник. Дата обращения: 14 сентября 2020. Архивировано 7 марта 2020 года.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Кан_Дэвон&oldid=135126455