Изотов, Александр Дмитриевич (N[kmkf, Glytvgu;j :bnmjnyfnc)

Перейти к навигации Перейти к поиску
Александр Дмитриевич Изотов
Дата рождения 1 июня 1951(1951-06-01)
Место рождения Ленинград, РСФСР, СССР
Дата смерти 25 января 2022(2022-01-25) (70 лет)
Страна  СССР Россия
Род деятельности учёный
Научная сфера физикохимия,кристаллография
Место работы Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАН
Альма-матер МИСиС
Учёная степень доктор химических наук (1991)
Учёное звание профессор
член-корреспондент РАН (1997)

Александр Дмитриевич Изотов (1 июня 1951, Ленинград, РСФСР, СССР — 25 января 2022) — советский и российский физикохимик, специалист в области физикохимии твёрдого тела, кристаллохимии и термодинамики неравновесных процессов, член-корреспондент РАН (1997).

Родился 1 июня 1951 году в Ленинграде[1].

Образование и научная карьера

[править | править код]

В 1968 году с золотой медалью окончил среднюю школу № 315 Москвы[1].

В 1974 году окончил физико-химический факультет Московского института стали и сплавов[2].

В 1979 году защитил кандидатскую диссертацию[2].

В 1991 году защитил докторскую диссертацию, тема: «Устойчивость кристаллических структур веществ при внешних критических воздействиях»[2].

В 1997 году избран членом-корреспондентом РАН[1].

Скончался 25 января 2022 года[3]. Похоронен в Москве на Кунцевском кладбище (участок 10)[4].

Трудовая деятельность

[править | править код]

Вся его жизнь связана с ИОНХ имени Н. С. Курнакова РАН, в который он пришёл после окончания ВУЗа, работал в лаборатории термодинамических основ неорганического материаловедения, с 1994 по 2015 годы — заведующий лабораторией, в последнее время — главный научный сотрудник лаборатории[2].

С 2002 по 2009 годы — заместитель директора ИОНХ по научной работе[2].

Научная деятельность

[править | править код]

Внёс большой вклад в теорию устойчивости твёрдых тел, выдвинул и обосновал термодинамические критерии перехода твёрдых тел от хрупкого к пластическому состоянию в условиях динамического нагружения, разработал и развил новую концепцию в теории разрушения конструкционных материалов (керамики) при интенсивных механических и тепловых нагрузках, теоретически доказал механизм диссоциативного разрушения керамики на микро- и наноуровнях[2].

Профессор РГУ нефти и газа имени И. М. Губкина, принимал участие в работе диссертационных советов ИОНХ РАН, РУДН и МИТХТ, был членом редколлегии журнала «Неорганические материалы»[2].

Под его руководством защищено 4 докторские и 6 кандидатских диссертации[2].

Некоторые основные публикации за последние 10 лет[2]. (Чтобы открыть, нажмите кнопку «показать» справа)
  • Горичев И. Г., Изотов А. Д., Зайцев Б. Е., Невская Е. Ю. Патент на изобретение № 2296174 «Раствор для выщелачивания оксидно-марганцевых руд» Заявка № 2005120534. Зарегистрирован 27 марта 2007 г.
  • Горичев И. Г., Артамонова И. В., Изотов А. Д., Пичугина Н. М. Моделирование кинетических процессов растворения солей с позиций диффузионной кинетики. М.: Изд. МПГУ, 2006. - 97с.
  • Гуськов В. Н., Нипан Г. Д., Изотов А. Д. Направленный синтез твердых растворов Cd1-xZnxTe детекторного назначения. Сб. Современные проблемы общей и неорганической химии». М., 2004. - 404 с.
  • Гуськов В. Н., Изотов А. Д. Тензиметрическое изучение состава пара над нестехиометрическими кристаллами // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46. - № 9. - С.1111-1113.
  • Панкратов Д. В., Изотов А. Д, Горичев И. Г. Вероятностные и фрактальные принципы вывода уравнений кинетики гетерогенных процессов растворения оксидов // Неорганические материалы. – 2010. - Т. 46. - № 6, с.738-744.
  • Саныгин В. П., Пашкова О. Н., Филатов А. В., Изотов А. Д. Новый ферромагнитный полупроводник InSb, легированный Mn и Zn // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47. - № 9. - С.1029-1032.
  • Изотов А. Д., Маренкин С. Ф., Федорченко И. В., Румянцев А. С., Кочура А. В., Трухан В. М., Шелковая Т. В. Магнитные свойства эвтектического сплава системы InSb-MnSb // Перспективные материалы. – 2011. - С. 228-231.
  • Изотов А. Д., Маврикиди Ф. И. Фракталы: делимость вещества как степень свободы в материаловедении. (Монография). Изд. СГАУ. Самара. 2011. 128 с.
  • Васильев М. Г., Васильев А. М., Изотов А. Д., Шелякин А. А. Создание и исследование лазерного диода для удаленного контроля метана.// Неорганические материалы. 2012. Т.48. №3. С. 305-311
  • Магнитомягкий полупроводниковый материал. Саныгин В. П. Пашкова О. Н. Филатов А. В. Изотов А. Д. Новоторцев В. М. Патент на изобретение № 2465378. Заявка № 2011127787 Приоритет изобретения 07 июня 2011 г. Зарегистрировано в государственном реестре изобретений РФ 27 октября 2012 г
  • Пашкова О. Н., Саныгин В. П., Филатов А. В.,Ефимов Н. Н., Изотов А. Д. Магнитомягкий полупроводник InSb с температурой Кюри 320 К.// Журнал неорганической химии. 2012. Т.57. №7. С. 1073–1075.
  • Изотов А. Д., Маврикиди Ф. И. Фракталы в технологии материалов.// Наука и технологии в промышленности. 2012 №3. С. 95-102.
  • Саныгин В. П., Тищенко Э. А., Дау Хьеу Ши, Изотов А. Д. Концепция примесного дислокационного магнетизма в полупроводниковых соединениях AIIIBV.// Неорганические материалы. 2013. Т.49. №1. С.8-16
  • Зарощенный лазерный диод с длиной волны излучения 1310 нм, работающий в СВЧ - диапазоне./ М. Г. Васильев, А. М. Васильев, А. Д. Изотов, А. А. Шелякин// Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова. 2013. №2. С.23-30.
  • Sanygin V. P., Lobanov N. N., Pashkova O. N., and Izotov A. D. A Microstructural Study of a Quenched InSb Ingot// Inorganic Materials, 2013, Vol. 49, No. 9, pp. 857–861.
  • Lobanov N. N., Izotov A. D., Pashkova O. N., and Sanygin V. P. Mn, Zn, and Cd Incorporation into the Crystal Lattice of Indium Antimonide.// Inorganic Materials, 2014, Vol. 50, No. 6, pp. 541–545.
  • Васильев М. Г., Васильев А. М., Изотов А. Д., Шелякин А. А. Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP// Неорганические материалы, 2014, том 50, № 9, с. 963–967.
  • Яржемский В. Г. , Изотов А. Д., Изотова В. О. Дополнительные квантовые числа для колебательных состояний симметричных наночастиц// Доклады Академии Наук, 2013, том 453, № 4, с. 391–394.
  • Пашкова О. Н., Изотов А. Д., Саныгин В. П., Филатов А. В. Кластерный магнетизм в легированном InSb.// Журнал неорганической химии, 2014, том 59, № 7.С. 688–691.
  • Yarzhemsky V. G. and Izotov A. D. Electronic Structure and the Structure of the Order Parameter in High_Tc Superconductors Based on Copper Oxides and Iron Pnictides.// Inorganic Materials. 2014, Vol. 50, No. 9, pp. 907–911.
  • Маренкин С. Ф., Изотов А. Д., Федорченко И. В. Технологические основы получения магнитогранулированных структур в системах полупроводник-ферромагнетик.// Известия академии Инженерных Наук им. А.М. Прохорова. 2014. №3. С. 59-64.
  • Tyurin A. V., Izotov A. D., Gavrichev K. S., and Zlomanov V. P. Describing the Heat Capacity of III–VI Compound Semiconductors in a Fractal Model// Inorganic Materials. 2014, Vol. 50, No. 9, pp. 903–906.
  • Pashkova O. N., Izotov A. D., Sanygin V. P., Filatov A. V. Ferromagnetism of GaSb (2% Mn) Alloy.// Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2014, Vol. 59, No. 11, pp. 1324-1327.
  • Изотов А. Д., Маврикиди Ф. И. Числовая асимметрия, золотое сечение и квазикристаллы.// Известия академии Инженерных Наук им. А.М. Прохорова. 2015. №1. С. 3-6.
  • Маренкин С. Ф., Изотов А. Д., Федорченко И. В., Новоторцев В. М. Синтез магнитогранулированных структур в системах полупроводник-ферромагнетик. // Журнал неорганической химии. 2015. Т. 60. № 3. С. 343–348.
  • Медаль и премия имени С. И. Мосина (2001)

Примечания

[править | править код]
  1. 1 2 3 Изотов А. Д. ras.ru. Дата обращения: 18 июля 2017. Архивировано 25 января 2022 года.
  2. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Институт общей и неорганической химии :: Изотов Александр Дмитриевич, член-корреспондент РАН, главный научный сотрудник. igic.ras.ru. Дата обращения: 18 июля 2017. Архивировано из оригинала 12 февраля 2019 года.
  3. Официальный сайт РАН. Дата обращения: 18 июля 2017. Архивировано 25 января 2022 года.
  4. Фото могилы А. Д. Изотова на сайте «Московские могилы». Дата обращения: 27 апреля 2023. Архивировано 27 апреля 2023 года.