Жуков, Алексей Евгеньевич ("rtkf, Glytvyw Yfiyu,yfnc)

Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Жуков; Жуков, Алексей.
Алексей Евгеньевич Жуков
Дата рождения 9 февраля 1968(1968-02-09) (56 лет)
Место рождения Ленинград
Страна  СССР→ Россия
Род деятельности учёный
Научная сфера физика полупроводников
Место работы Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
Альма-матер Ленинградский электротехнический институт
Учёная степень доктор физико-математических наук (2002)
Учёное звание профессор
член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии

Алексей Евгеньевич Жуков (род. 1968) — специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).

Биография

[править | править код]
Основной источник: [1]

Родился 9 февраля 1968 года в Ленинграде.

В 1992 году — с отличием окончил кафедру оптоэлектроники факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ), (в настоящее время — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).

В 1996 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств».

В 2002 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».

В 2008 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Трудовая и преподавательская деятельность[2]

Научная деятельность

[править | править код]
Основной источник: [1]

Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры

Основные научные результаты:

  • разработчик воспроизводимой технологии синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, которая позволяет управлять их структурными и оптическими свойствами и расширять спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи;
  • развил теорию лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установил взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснил эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние;
  • разработал высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решил проблему надежности подобных лазеров.

Автор 276 опубликованных работ.

Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.

Награды

[править | править код]
  • Премия имени А. Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга (2017) - за выдающиеся научные результаты в области оптических микрорезонаторов и микролазеров на основе квантовых точек для нового поколения оптической связи, внесшие значительный вклад в развитие физики полупроводниковых наноструктур и техники полупроводниковых лазеров[3]
  • Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024 года) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[4]

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ 1 2 Жуков Алексей Евгеньевич (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 29 августа 2017.
  2. ↑ Информация о сотруднике: Жуков Алексей Евгеньевич (Сайт Академического университета). spbau.ru. Дата обращения: 29 августа 2017. Архивировано из оригинала 4 сентября 2017 года.
  3. ↑ В Смольном вручены премии за выдающиеся научные результаты в области науки и техники. gov.spb.ru. Дата обращения: 16 сентября 2017. Архивировано 30 сентября 2017 года.
  4. ↑ Распоряжение Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 32-рп «О поощрении». Дата обращения: 5 февраля 2024. Архивировано 5 февраля 2024 года.

Ссылки

[править | править код]
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Жуков,_Алексей_Евгеньевич&oldid=137440779