Двуреченский, Анатолий Васильевич (:frjycyuvtnw, Gugmklnw Fgvnl,yfnc)

Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Двуреченский.
Анатолий Васильевич Двуреченский
Дата рождения 10 апреля 1945(1945-04-10) (79 лет)
Место рождения
Страна
Род деятельности физик
Научная сфера физика полупроводников
Место работы
Альма-матер
Учёная степень доктор физико-математических наук (1988)
Учёное звание профессор (1993),
член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии
почётная грамота Президента Российской Федерации Государственная премия СССР премия Правительства Российской Федерации в области образования
Сайт isp.nsc.ru/24/Dvurechens…

Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский (род. 10 апреля 1945, Барнаул) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1988), профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (2000), заведующий Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (1987)[1][2].

Специалист в области радиационной физики, атомной структуры и электронных явлений в полупроводниковых низкоразмерных системах, микро-, опто− и наноэлектроники[3]. Автор и соавтор более 380 научных публикаций[4]. Имеет более 4000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 28[5].

Биография

[править | править код]

А. В. Двуреченский родился 10 апреля 1945 года в Барнауле[4]. Старший из трёх сыновей в семье Василия Арсентьевича Двуреченского[6] и Ефросиньи Григорьевны Двуреченской.

Закончил школу в Бийске[6] с серебрянной медалью. Поступил в НГУ в 1963 года[7]. На выбор кафедры оказали влияние лекции А. Ф. Кравченко в ИФП[8].

В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета[4] и начал работать в лаборатории радиационной физики Института физики полупроводников СО АН СССР (ИФП СО РАН). А. В. Двуреченский защитил кандидатскую диссертацию по теме «Взаимодействие дефектов, введённых ионной бомбардировкой, между собой и примесью» в 1974 году[4]. В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния»[4].

С 1987 года А. В. Двуреченский возглавляет Лабораторию неравновесных полупроводниковых систем в ИФП СО РАН[4]. В 1988 году вместе с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе и ФИАН становится лауреатом Государственной премии СССР за «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел („лазерный отжиг“)»[3]. С 1987 года учёный работает на физическом факультете НГУ и преподаёт на кафедре физики полупроводников, на которой разработал и читает спецкурсы «Радиационная физика полупроводников» и «Физические основы нанотехнологии». В 1991 году стал профессором этой кафедры. В 1993 году ему присвоено звание профессора по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков»[9].

А. В. Двуреченский с 2002 года занимает должность заместителя директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по научной работе[4][8]. В 2008 году был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН по специальности «наноэлектроника»[3]. Также в рамках международного сотрудничества он работал в университете штата Нью-Йорк в Олбани, исследовательском центре Россендорфа, фуданьском университете. С 2012 года является членом комиссии по развитию физики Международного Союза Фундаментальной и Прикладной Физики (IUPAP)[9].

А. В. Двуреченский является заместителем председателя Научного совета РАН по теме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников». Учёный состоит в редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», является заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, а также руководителем ряда программ СО РАН и членом Экспертного совета ВАК по физике[9].

Под руководством А. В. Двуреченского защищено 12 кандидатских и 6 докторских диссертационных работ. Является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, 10 авторских свидетельств и трёх патентов[9].

Супруга — Серафима Яковлевна. Дочь — Елена[6].

Научный вклад

[править | править код]

Основные научные интересы А. В. Двуреченского относятся к радиационной физике, атомной структуре и электронным явлениям в полупроводниках и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологиям полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Ключевые области его исследований[10]:

  • атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами;
  • синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков;
  • гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами;
  • лазерный отжиг[10].

Значительная часть работ была посвящена разработке метода и технологии легирования полупроводников с помощью ионной имплантации и нейтронного облучения. Важным достижением стало открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел («лазерный отжиг»). Это позволило восстанавливать кристаллическую структуру ионно-легированных полупроводниковых пластин после импульсного лазерного воздействия[10] и контролировать распределение квантовых точек в наноструктурах по размерам[11].

А. В. Двуреченский исследовал морфологические изменения поверхности при росте из молекулярных и ионно-молекулярных пучков с последующим лазерным отжигом. Он разработал технологию создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний[10].

Библиография

[править | править код]
Основной источник: [4]
  • Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с. (в соавт.)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. 292 с. (в соавт.)
  • Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., 1982. 208 с. (в соавт.)
  • Двуреченский А. В. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг) // Соросовский образовательный журнал. — 2004. — Т. 8, № 1. — С. 1—7.
  • Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007. 367 с. (в соавт.)
  • A survey of semiconductors radiation techniques. Moscow: Mir, 1982. 288 p.
  • Intersubband Infrared photodetectors, selected topics in electronics and systems. N. Jersey; L.; Singapore; Hong Kong: Word scientific, 2003. Vol. 27. 937 c. (в соавт.)
  • Toward the first silicon laser. Dordrecht;·Boston;·L.: Kluver acad. publ., 2003. 482 p. (в соавт.)
  • Handbook of semiconductor nanostructures and nanodevices. North Lewis Way, Stevenson Ranch, California: Am. scient. publ., 2006. Vol. 1. 515 p. (в соавт.)
  • Nanoscaled semiconductor-on-insulator structures and devices. Dordrecht: Springer, 2007. 369 p. (в соавт.)

Общественная позиция

[править | править код]

Подписал открытое письмо учёных президенту России В. В. Путину, выражающее обеспокоенность кризисом фундаментальной науки после реформы РАН в 2013 году. В письме критикуются негативные последствия этой реформы и предлагаются меры по восстановлению единства системы научных институтов и РАН, увеличению финансирования, повышению роли учёных в управлении наукой[12].

Награды и почётные звания

[править | править код]
  • Международная премия Академий наук СССР и ГДР (1988)[4] в составе авторов за цикл совместных работ «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники»[9][13].
  • Государственная премия СССР (1988)[4] в составе авторов за цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел („лазерный отжиг“)»[3][13].
  • Почётные грамоты РАН (1999, 2004), Министерства образования и науки РФ (2007), города Новосибирска (2014, 2015)[9].
  • Премия Правительства РФ в области образования (2014)[9][14][4].
  • Почётная грамота Президента Российской Федерации (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[15]
  • Почётная грамота Российской академии наук (23 апреля 2024) — за многолетний плодотворный труд на благо отечественной науки, значительный вклад в развитие фундаментальных и прикладных научных исследований в области полупроводников, физики конденсированного состояния, полупроводниковой микро- и наноэлектроники, квантовых технологий и в связи с 60-летием основания федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ Профессора НГУ, 2014, с. 131—133.
  2. ↑ Двуреченский Анатолий Васильевич. https://www.ras.ru/. РАН (21 октября 2009). Дата обращения: 10 июня 2024.
  3. ↑ 1 2 3 4 Анатолий Васильевич Двуреченский (К 70–летию со дня рождения), 2015, с. 75.
  4. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Профессора НГУ, 2014, с. 133.
  5. ↑ Корпус экспертов по естественным наукам. http://www.expertcorps.ru/. Корпус экспертов. Дата обращения: 27 мая 2024.
  6. ↑ 1 2 3 Двуреченский, 2014, с. 259.
  7. ↑ Двуреченский, 2014, с. 260.
  8. ↑ 1 2 Двуреченский, 2014, с. 265.
  9. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 Анатолий Васильевич Двуреченский (К 70–летию со дня рождения), 2015, с. 76.
  10. ↑ 1 2 3 4 Анатолий Васильевич Двуреченский (К 70–летию со дня рождения), 2015, с. 75—76.
  11. ↑ Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем. https://www.isp.nsc.ru/. ИФП СО РАН (5 июля 2010). Дата обращения: 10 июня 2024.
  12. ↑ Президенту Российской Федерации Путину В. В. // В защиту науки / Отв. ред. Е. Б. Александров; сост. Е. Б. Александров, Ю. Н. Ефремов; Комиссия РАН по борьбе с лженаукой и фальсификацией научных исследований. — Бюллетень № 18. — М.: Буки Веди, 2016. — С. 5—8. — 108 с. — ISBN 978-5-9908169-8-5.
  13. ↑ 1 2 Двуреченский, 2014, с. 266.
  14. ↑ Распоряжение Правительства Российской Федерации от 31 июля 2014 N 1438-р «О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2014 года в области образования»
  15. ↑ Распоряжение Президента Российской Федерации от 26 февраля 2024 года № 62-рп «О поощрении». Дата обращения: 27 февраля 2024. Архивировано 27 февраля 2024 года.

Литература

[править | править код]
  • Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.
  • Мелуа А. Н. Двуреченский, Анатолий Васильевич // Академия наук. Биографии. 1724—2020. — СПб.: Гуманистика, 2020. — Т. Том 6: Грефе — Донгарра. Биографическая энциклопедия. — С. 361—362. — 641 с. — ISBN 978-5-906140-35-7.
  • Коллеги, друзья, ученики. Анатолий Васильевич Двуреченский (К 70–летию со дня рождения) // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 75—76. — doi:10.17073/1609-3577-2015-1-75-76.
  • Двуреченский Анатолий Васильевич. Мой путь в науку // О времени и о себе. ФФ НГУ, 1963 - 1968 гг. / Отв. ред. Б. Н. Лукьянов ; ред.-сост.: А. А. Васильев и др.. — 2-е. — Новосибирск: Редакционно-издательский центр НГУ, 2014. — С. 259—267. — 824 с. — ISBN 978-5-4437-0279-7.

Ссылки

[править | править код]
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Двуреченский,_Анатолий_Васильевич&oldid=141208494