Горбатюк, Андрей Васильевич (IkjQgmZt, Gu;jyw Fgvnl,yfnc)

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Горбатюк.

Андрей Васильевич Горбатюк
Дата рождения	9 мая 1946(1946-05-09) (78 лет)
Место рождения	Капитановка, Златопольский район, Кировоградская область, Украинская ССР, СССР
Страна	СССР→ Россия
Научная сфера	физика полупроводниковых приборов
Место работы	ФТИ им. Иоффе РАН
Альма-матер	Одесский политехнический институт
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	профессор
Награды и премии

Андре́й Васи́льевич Горбатю́к (род. 9 мая 1946, Капитановка, Кировоградская область) — советский и российский физик-теоретик, специалист по силовым полупроводниковым приборам. Лауреат Госпремии СССР (1987).

Профессиональная биография

Окончил Одесский политехнический институт (ныне Одесский национальный политехнический университет), затем аспирантуру ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР (ныне РАН) в Ленинграде.

С 1981 года работает в ФТИ им. Иоффе в лаборатории мощных полупроводниковых приборов, в настоящее время — главный научный сотрудник. Доктор физико-математических наук (2003).

С 1996 года по совместительству преподавал в Санкт-Петербургском политехническом университете. Профессор (2011).

Научная деятельность и достижения

Разработал теорию динамики и устойчивости инжекционных процессов в многослойных и интегральных полупроводниковых структурах при больших плотностях тока. Предложил физический принцип и разработал теорию реверсивно-включаемого динистора (РВД) — силового полупроводникового переключателя микросекундного диапазона. РВД был реализован при участии А. В. Горбатюка в ФТИ и стал самым мощным высоковольтным (3 кВ) полупроводниковым переключателем микросекундного диапазона (максимальный коммутируемый ток 0.3⋅10⁶ А).

Из библиографии

Автор около 90 научных публикаций. Избранные работы:

• Grekhov I. V., Gorbatyuk A. V., Kostina L. S., Korotkov S. V., Jakovtchuk N. S. Superpower switch of microsecond range // Solid-State Electronics — 1983 — vol. 26 — no. 11 — p. 1132.
• Gorbatyuk A. V., Grekhov I. V., Nalivkin A. V. Theory of quasi-diode operation of Reversely Switched Dinistors // Solid-State Electronics — 1988 — vol. 31 — no. 10 — pp. 1483—1491 (см. аннотацию).
• Gorbatyuk A. V., Niedernostheide F. J. Spatial current-density instabilities in multilayered semiconductor structures // Physical Review B — 2002 — v. 65 — no. 24 — ArtNo#245318 [15 pages] (см. аннотацию).
• Slipchenko S. O., Podoskin A. A., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Gorbatyuk A. V. Model of steady-state injection processes in a high-power laser-thyristor based on heterostructure with internal optical feedback // IEEE Transactions on Electron Devices — 2015 — v. 62 — no. 1 — pp. 149—154 (см. аннотацию).
• Горбатюк А. В. Неустойчивости и расслоения тока в полупроводниковых структурах: учеб. пособие // 2009 — СПб.: Изд-во Политех. ун-та — 79 с. — ISBN 978-5-7422-2340-5.

Награды и премии

Лауреат Государственной премии СССР 1987 года «За разработку новых принципов коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами».

Источники и ссылки

• Горбатюк, Андрей Васильевич на математическом портале Math-Net.Ru