Глоссарий физики полупроводников (Ilkvvgjnw sn[ntn hklrhjkfk;untkf)
А
[править | править код]Адатом — атом на поверхности кристалла.
Адиабатическое приближение — приближение в теории твёрдого тела, при котором движение остовов ионов кристаллической решётки рассматривается в качестве возмущения. См. фононы.
Акцептор — примесь в полупроводниковом материале, которая захватывает свободный электрон.
Б
[править | править код]Барьер Шоттки — потенциальный барьер, возникающий на границе металл — полупроводник
Безызлучательная рекомбинация — рекомбинация без испускания квантов света. Передача энергии электронно-дырочной пары происходит либо колебаниям решетки (фононам), либо третьей частице (Оже-рекомбинация).
Бесщелевой полупроводник — полупроводник с нулевой шириной запрещённой зоны.
Бинарные соединения — химические вещества, образованные двумя химическими элементами.
В
[править | править код]Валентная зона — зона валентных электронов, при нулевой температуре в собственном полупроводнике полностью заполнена.
Вольт-амперная характеристика — зависимость тока от напряжения. Основная характеристика для любого полупроводникового прибора.
Г
[править | править код]Галлий — элемент пятой группы периодической системы элементов.
Гальваномагнитные эффекты — эффекты связанные с действием магнитного поля на электрические (гальванические) свойства твердотельных проводников.
Д
[править | править код]Двумерный электронный газ — электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из координат.
Дефекты кристалла — любое нарушение периодичности кристалла.
Дивакансия — конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий.
Диод — полупроводниковый прибор с двумя электродами.
- Диод Шоттки
- Диод на p-n-переходе
- Диоды Ганна
Дислокация — линейный дефект в кристалле.
Дислокация несоответствия — один из типов линейных дефектов в кристалле, когда дополнительная полуплоскость вставлена в кристаллическую решётку.
Донор — тип легирующих примесей, поставляющих свободные электроны.
Дырка — квазичастица в твёрдом теле с положительным зарядом, равным по абсолютному значению заряду электрона.
Дырочная проводимость — в полупроводнике с p-типом проводимости основные носители заряда дают основной вклад в проводимость.
Дырочный полупроводник — полупроводник с p-типом проводимости, основные носители заряда — дырки.
Двухдолинный полупроводник — полупроводник, зона проводимости которого имеет два энергетических минимума.
З
[править | править код]Закон дисперсии — Зависимость энергии от квазиволнового вектора . В полупроводнике с параболическим законом дисперсии эффективная масса не зависит от энергии.
Затвор — управляющий электрод в полевом транзисторе.
Зона — термин зонной теории, обозначающий область разрешённых значений энергии, которые могут принимать электроны или дырки.
Зонная теория твёрдых тел — одноэлектронная теория для периодического потенциала, объясняющая многие электрофизические свойства полупроводников. Использует адиабатическое приближение.
И
[править | править код]Излучательная рекомбинация — рекомбинация с испусканием одного или нескольких фотонов при гибели электрон-дырочной пары; источник излучения в светодиодах и лазерных диодах.
Инжекция — явление, приводящее к появлению неравновесных носителей в полупроводнике при пропускании электрического тока через p-n-переход или гетеропереход.
Исток — термин, обозначающий один из контактов в полевом транзисторе.
К
[править | править код]Кристалл — идеализированная модель твёрдого тела с трансляционной симметрией.
Кремний — полупроводник, основной материал современной полупроводниковой промышленности.
Л
[править | править код]Лавинная инжекция — см. ЛИЗМОП-структуры
Люминесценция — свечение твёрдых под влиянием внешнего воздействия (пропускание электрического тока, возбуждение светом или заряженными частицами).
М
[править | править код]Механическое движение — изменение с течением времени положения тела относительно других тел.
Н
[править | править код]Неосновные носители магнитное поле
О
[править | править код]Оптические переходы — переходы электрона в твёрдом теле между состояниями с различной энергиями с испусканием или поглощением света.
Основные носители — тип преобладающих в полупроводнике носителей заряда.
П
[править | править код]Параболический закон дисперсии — у полупроводников с параболическим законом дисперсии можно ввести массу, которая отличается от массы покоя электрона. В этом случае частица, движущаяся в кристаллическом потенциале, не замечает его и ведёт себя как свободная частица.
Примеси — инородные атомы в чистом материале.
Примесная зона — зона, которая образуется при сильном легировании полупроводника, когда волновые функции электронов соседних примесей перекрываются.
Р
[править | править код]Рассеяние на акустических фононах
Рассеяние на оптических фононах
Рекомбинация — гибель пары электрон-дырка.
С
[править | править код]Сток — один из контактов в полевом транзисторе.
Т
[править | править код]Термализация — процесс установления термодинамического равновесия для неосновных носителей заряда.
Термогальваномагнитные эффекты — эффекты, возникающие под влиянием магнитного поля в электропроводности и теплопроводности проводников.
Точечные дефекты или нульмерные дефекты — дефекты кристалла, при которых периодичность потенциала нарушается только локально.
У
[править | править код]Уровень Ферми — энергетический уровень, который при абсолютном нуле температур разделяет полностью заполненные квантовые состояния от полностью незанятых состояний.
Ф
[править | править код]Фонон — Квазичастица, квант колебательного движения атомов кристалла.
Фотопроводимость — проводимость полупроводника при воздействии света. Даёт информацию о дефектах в полупроводниках.
Х
[править | править код]Ц
[править | править код]Ш
[править | править код]Ширина запрещённой зоны, Eg — одна из основных электрофизических характеристик полупроводника. Разность между энергией дна зоны проводимости и потолком валентной зоны.
Широкозонные полупроводники — полупроводники с шириной запрещённой зоны 1 эВ < Eg < 3 эВ
Э
[править | править код]Экситон — квазичастица в твёрдом теле, связанное состояние электрона и дырки. Обладает ограниченным временем жизни.
Электрон — квазичастица в твёрдом теле с зарядом электрона, но с отличной массой.
Электронное сродство — энергия выделяющаяся при присоединении одного электрона к твердому телу. Для металлов совпадает с термодинамической работой выхода, для полупроводников отличается от неё на величину EС-EF, поскольку присоединенный электрон попадает на дно зоны проводимости.
Электронный полупроводник — полупроводник с n-типом проводимости, где основные носители — электроны.
Эффект Ганна — периодические колебания тока в двухдолинных полупроводниках
Эффект Нернста — Эттингсгаузена
Эффект Холла — возникновение поперечной разности потенциалов при протекании тока во внешнем магнитном поле.
- Классический эффект Холла;
- Квантовый эффект Холла — эффект, наблюдающийся в двумерном электронном газе.
Эффект Шубникова — де Гааза — осцилляции магнетосопротивления периодичные по обратному магнитному полю.
Эффективная масса — перенормированная масса электрона в кристаллической решётке. Примени́м к полупроводникам с параболическим законом дисперсии. Для различных разрешённых зон эффективная масса квазичастиц различается, поэтому появляются тяжёлые и лёгкие дырки. В общем случае нужно масса зависит от направления в кристалле и говорят о тензоре эффективной массы.
 | В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |