Берсукер, Геннадий Исаакович (>yjvrtyj, Iyuug;nw Nvggtkfnc)

Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Берсукер.
Геннадий Исаакович Берсукер
Дата рождения 1953(1953)
Место рождения Кишинёв, Молдавская ССР
Страна
Род деятельности физик
Научная сфера физик
Место работы Техасский университет в Остине
Альма-матер Санкт-Петербургский государственный университет
Научный руководитель Виктор Зигфридович Полингер
Известен как физика полупроводников

Геннадий Исаакович Берсукер (англ. Gennadi Bersuker; род. 1953, Кишинёв) — советский и американский физик, автор трудов по физике полупроводников.

Биография

[править | править код]

Родился в мае 1953 года в Кишинёве, в семье химиков Исаака Боруховича Берсукера и Лилии Борисовны Берсукер (1930—2003). В 1970 году окончил кишинёвскую среднюю школу № 34[1], затем физико-математический факультет Ленинградского государственного университета[2]. Диссертацию кандидата физико-математических наук по теме «Многомодовый эффект Яна-Теллера в многоатомных системах с двукратно вырожденным электронным состоянием» защитил в 1980 году в Кишинёвском университете под руководством В. З. Полингера[3][4]. Был научным сотрудником Института химии Академии наук Молдавской ССР, затем работал в Лейденском университете. С 1991 года — в Остине (штат Техас), сначала в Техасском университете в Остине, в 1994—2014 годах — в Sematech (Остин), с 2014 года — в The Aerospace Corporation (Лос-Анджелес)[5].

Опубликовал более 300 работ по электронным свойствам диэлектриков, физике попупроводников, кристаллохимии[6][7]. Член редколлегии журнала «Transactions on Device and Materials Reliability»[8]. Индекс Хирша — 51 (Semantic Scholar, 2022)[9], 53 (ResearchGate, 2022)[10].

Сыновья — Евгений (род. 1979) и Кирилл (англ. Kirill Bersuker, PhD), учёный в области молекулярной биологии и цитологии (Стэнфордский университет).

Ссылки

[править | править код]

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ Выпускники школы № 34 (недоступная ссылка)
  2. ↑ IEEE Electron Devices Society. Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано из оригинала 26 октября 2017 года.
  3. ↑ Многомодовый эффект Яна-Теллера в многоатомных системах с двукратно вырожденным электронным состоянием. Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 26 октября 2017 года.
  4. ↑ Интервью с И. Б. Берсукером. Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 4 марта 2016 года.
  5. ↑ Б. Цукерблат, Ю. Систер, К. Жигня «Академик Исаак Борисович Берсукер». Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 16 апреля 2018 года.
  6. ↑ Dielectrics for future transistors. Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано 14 декабря 2021 года.
  7. ↑ Metal oxide resistive memory switching mechanism based on conductive filament properties
  8. ↑ Transactions on Device and Materials Reliability. Дата обращения: 22 октября 2017. Архивировано из оригинала 23 сентября 2017 года.
  9. ↑ Semantic Scholar. Дата обращения: 29 декабря 2022. Архивировано 29 декабря 2022 года.
  10. ↑ ResearchGate. Дата обращения: 29 декабря 2022. Архивировано 29 декабря 2022 года.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Берсукер,_Геннадий_Исаакович&oldid=139042503