Селенид меди-индия-галлия (Vylyun; by;n-nu;nx-igllnx)
Перейти к навигации
Перейти к поиску
| Селенид меди-индия-галлия | |
|---|---|
 Элементарная ячейка кристаллов типа халькопирита Cu Ga или In Se | |
| Общие | |
| Традиционные названия | Селенид меди-индия-галлия |
| Хим. формула | CuInxGa1−xSe2 |
| Физические свойства | |
| Молярная масса |
переменная, зависит от х г/моль |
| Плотность | ~ 5,7 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | от 1070 (x=0) до 990 (x=1) |
| Структура | |
| Координационная геометрия | инверсионно-планальная |
| Кристаллическая структура |
тетрагональная, типа халькопирита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS |
12018-95-0 (x=1), 12018-84-7 (x=0) |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Селенид меди-индия-галлия (также CIGS — англ. Copper indium gallium selenide) — полупроводниковое соединение меди, индия, галлия и селена. Представляет собой твердый раствор селенида меди-индия (CIS) и селенида меди-галлия, состав которого выражается формулой CuInxGa1−xSe2. Кристаллизуется в структуре типа халькопирита. Ширина запрещённой зоны меняется от 1,7 эВ при x=0 до 1,0 эВ при x=1[1].
Применение
[править | править код]Известен благодаря применению в солнечных батареях второго поколения[2]. Достоинством тонкопленочных панелей на основе CIGS является их гибкость.
См. также
[править | править код]Примечания
[править | править код]- ↑ Tinoco, T.; Rincón, C.; Quintero, M.; Pérez, G. Sánchez. Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys (англ.) // Physica Status Solidi (a)[англ.] : journal. — 1991. — Vol. 124, no. 2. — P. 427. — doi:10.1002/pssa.2211240206.
- ↑ Будзуляк И. М. Журнал технической физики, 72 6 (2002) 41—43.
