Подложка (Hk;lk'tg)
Для улучшения этой статьи желательно:
|
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/45/Multicrystallinewafer_0001.jpg/220px-Multicrystallinewafer_0001.jpg)
Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.
Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв[1].
Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоёв с помощью процесса эпитаксии, кристаллизации и т. д.[2]
При выращивании кристаллов большое значение имеют условия согласования постоянных кристаллических решёток слоя нарщиваемого кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Особое внимание уделяется чистоте поверхности и отсутствию дефектов кристаллической структуры подложки. При сильном рассогласовании постоянных решёток выращиваемого слоя и подложки возможно применение буферного слоя для снижения количества дислокаций.
Примечания
[править | править код]- ↑ Фотокинотехника, 1981, с. 242.
- ↑ Бахрушин В. Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоёв многослойных композиций. — Запорожье: КПУ, 2001. — 247 с.
Литература
[править | править код]- Иофис Е. А. Фотокинотехника / И. Ю. Шебалин. — М., : Советская энциклопедия, 1981. — С. 242. — 447 с.