Ол, Рассел (Kl, Jgvvyl)

Перейти к навигации Перейти к поиску
Рассел Ол
Дата рождения 31 января 1898(1898-01-31)
Место рождения
Дата смерти 20 марта 1987(1987-03-20) (89 лет)
Место смерти
Страна
Род деятельности изобретатель, физик

Рассел Шумейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 января 1898, Аллентаун — 20 марта 1987) — американский инженер, известный своими исследованиями полупроводников еще до открытия транзистора. В 1946 году он получил патент США на конструкцию современного солнечного элемента (U.S. Patent 2 402 662)[1].

В 1939 году Ол открыл явление p-n-перехода[2]. В то время мало кто знал о примесях в кристаллах полупроводников, но Расселу удалось выявить, что наличие этих примесей некоторые участки полупроводника имели большее сопротивление, и как следствие, хуже проводили электрический ток. Барьер между участками разной «чистоты» заставлял полупроводниковый диод работать. Все современные диоды (светодиоды, лазерные и т д.) являются потомками работ Ола.

Примечания

[править | править код]
  1. Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (англ.). IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51.. Дата обращения: 6 октября 2010. Архивировано 27 июня 2012 года.
  2. Silicon P-N Junction (англ.). 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Дата обращения: 19 октября 2015. Архивировано 3 октября 2017 года.