Обсуждение:Флеш-память (KQvr';yuny&Slyo-hgbxm,)

Написание флеш/флэш

Современные словари рекомендуют написание через Е. http://dic.gramota.ru/ Roxis 13:44, 27 апреля 2008 (UTC)

словарь - не догма, а лишь отображение живой речи и письменности. Многим привычнее через э, так, как произносится в английском flash. Слово flesh имеет совсем другое значение - плоть, мясо, тело.... Ds02006 06:30, 22 октября 2008 (UTC)

К сожалению, в русском языке чуть ли ни все иностранные слова пишутся не так, как на родине. А уж произносятся... вообще кому как хочется.--StrannikM 23:39, 2 декабря 2008 (UTC)

Вы, главное, определитесь и пишите одинаково. А то по тексту встречаются оба варианта.--95.72.47.186 09:36, 6 января 2009 (UTC)

Никому же не приходит в голову говорить "филе" вместо файла, или "USB-дриве" вместо USB-драйва. Так что я за флэш 83.149.3.149 21:58, 7 февраля 2009 (UTC)ылкшшь

Уважаемый Roxis, даже по приведённой Вами ссылке видно, что флеш — не то, что флэш. Там приведены значения из области ботаники, которые по-английски пишутся flesh и flush. А наш флэш по-английски пишется flash. В этом значении он в словаре «Грамоты.Ру» отсутствует, зато присутствует в словаре Lingvo Computers, Lingvo Mechanical Engineering, словаре по естественным наукам Глоссарий.Ру. --Kharitonov 14:03, 17 августа 2009 (UTC)

А если смотреть дальше, то видно: "флеш, -а, тв. -ем (короткая информация о событии)". А это уже flash. Roxis 15:18, 17 августа 2009 (UTC)

Да, моя ссылка на «Грамоту.Ру» несостоятельна. Но с учётом других словарей, да и a priori, не желательно ли различать в русской письменной речи столь разные понятия, происходящие от разных иностранных слов? --Kharitonov 15:55, 17 августа 2009 (UTC)

Вот и в Вики обосновались аглицкое разверстое мясо и полевое земляное укрепление времён наполеоновской войны. Кеп Очевидность также рекомендует впердь именовать себя "сЕр" или "мЕтр", назначить себя мЕром, устроить МЕтта Гроунинга бЕк-вокалистом к Ерику КлЕптону на Ебби-роуд... Всё, брЕк! Принимая во внимание, кем, как, когда и для чего составляются и переписываются академические словари, а тем более - даются рекомендации на gramota.ru, следует относиться к этим источникам в известной мере критично. Одно дело - корректор издательства "Учпедгиз", который за несоблюдение установленных словарных норм вылетит с работы, другое - Википедия, в которой место для здравого смысла и элементарной логики тоже оставлено. Boober the bird 04:52, 7 февраля 2011 (UTC)

---

флеш

лезер

трензистор

Келифорния

Менхеттен

2003:E4:A732:5936:41D3:BBB6:5875:ACD2 16:01, 20 августа 2020 (UTC)

НЕ-И, НЕ-ИЛИ

Названия типов элементов всегда пишутся и произносятся как И-НЕ, ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ-НЕ. Например: К155ЛР3 - логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.

80.80.111.240 11:57, 7 июня 2008 (UTC)Prologik

Названия логических элементов пишутся в порядке выполнения логических операций.

Вы сделали неудачный выбор, приведя в пример микросхему К155ЛР3. Она имеет слишком сложную структуру для записиси простой формулой. У неё один вход инвертированный (см. http://www.chipinfo.ru/dsheets/ic/155/lr3.html). А потому эта формула неверна. К стати, и в рисунке ошибка. Тем не менее это косое описание кочует по всем сайтам. Записать конечно можно всё, что угодно. Вот только понять бы потом, что получилось...

Возьмём пример попроще: К155ЛА3 - 4 элемента 2И-НЕ. То есть, в каждом элементе сначала над двумя входами выполняется операция И, а затем, над тем, что получилось - операция НЕ. А если бы сначала выполнялась операция НЕ над входами, а затем И, то элемент назывался бы 2НЕ-И, что равносильно 2ИЛИ-НЕ.

Вообще-то, в статье так и не раскрыто, где там И-НЕ, а где ИЛИ-НЕ? Судя по скудному описанию, ячейка одна и та же, а разница только в подключении к цепям управления? Или я не прав?

--StrannikM 10:41, 15 декабря 2008 (UTC)

Прошу прощения. Не смотря на то, что всё выше изложенное справедливо.

Заглянул сегодня в ангийское описение и опять убедился, что у них всё делается через... то самое место. По-ихнему читать надо справа налево. Как и в почтовых адресах квартира - в начале, а страна - в конце. Т.е. по-нашему И-НЕ и ИЛИ-НЕ, а по-ихнему NOT-AND (NAND) и NOT-OR (NOR).

--StrannikM 09:03, 6 января 2009 (UTC)

Ошибки

С каких пор флеш память "энергозависимой перезаписываемой памяти"? ВП:НО текст изменён Иван 11:27, 10 декабря 2008 (UTC)Diff 07:26, 10 декабря 2008 (UTC)

В Википедии самообслуживание ;) --A.I. 09:47, 10 декабря 2008 (UTC)

Иерархия

В тексте: Память разбивается на блоки, блоки состоят из секторов, секторы из страниц. Правильно будет: Память разбивается на блоки, блоки состоят из страниц, страницы из секторов.--Evg71 17:52, 8 марта 2015 (UTC)

• Блоки и сектора переставляют кто как хочет. Но вроде бы страницы у всех самая маленькая единица разбиения. Можно АИ на ваше утверждение? ASDFS 19:27, 8 марта 2015 (UTC)

Да, понятие "сектор" применительно к носителям информации - это минимальная "единица" информации, которую можно считать или записать. У NAND минимальная "единица" - страница. Поэтому правильнее будет: Память разбивается на блоки, блоки состоят из страниц. Во многих иностранных источниках страница=сектор. Изучив много даташитов на NAND (Samsung, Toshiba) вообще не нашел упоминания про сектора. Только блоки, состоящие из страниц. Предлагаю упоминание про сектора убрать совсем. Просто размер страницы NAND значительно больше размера секторов, которые используют операционные системы, поэтому сначала ошибся. --Evg71 05:22, 9 марта 2015 (UTC)

• Сказанное вами - частный случай. Для старых НАНД действительно, глубина иерархии чаще всего была страница-блок. Для новых добавляют еще один уровень plane. Для НОР изначально иерархия была страница-сектор-блок. В общем можно сказать что это гуляющие названия, поэтому в тексте написано "например". Что касается "страница=сектор" то тут вы, по видимому, путаете страницы организации памяти и сектора файловой системы. Последняя к предмету статьи относится довольно косвенно. ASDFS 12:45, 10 марта 2015 (UTC)

Медленно но верно превращаемся в американцев…

К подписи под рисунком добавили в скобках про спичку. Это для особо одарённых что ли? Так скоро совсем в американцев превратимся — начнём писать инструкции по пользованию ложкой и т.п.--StrannikM 06:32, 9 февраля 2009 (UTC

это лучше, а то некоторые "шибко умные" статьи вообще нужно со словарём читать... Кому, спрашивается, такая энциклопедия нужна... Ярик 20:09, 23 февраля 2009 (UTC)

Копипаст?

Memory Stick Micro (M2): Данный формат является конкурентом формата microSD (по аналогичному размеру), сохраняя преимущества карт памяти Sony.

А про преимущества ни слова. 94.240.164.177 18:07, 21 августа 2009 (UTC)

Не увидел описания причины ограниченности количества циклов записи

что там перегорает то? 92.124.84.158 01:13, 18 апреля 2010 (UTC)Денис

• Невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том что запись производится толпой и автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней температуре больницы. Постепенно заряд отдельных ячеек разбегается и в один прекрасный момент вылетает за допустимые границы которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи. На ресурс в такой ситуации влияет степень идентичности ячеек (чем они одинаковее тем больше ресурс) и количество ячеек в одном блоке. Например раньше выпускали ЕЕПРОМ в которых запись велась даже по одному байту (8 ячеек) и гарантированный ресурс был миллионов 10. Ныне таким расточительством кремния не занимаются и потому больше ляма на рынке не найти. ASDFS 08:23, 12 июля 2011 (UTC)
  • Вот тут тоже нужно до конца разобраться по хорошему. 1М циклов характерны для ЭСППЗУ, в том числе за счет избыточного кодирования (да даже в основном) информации. Заметьте что в микроконтроллерах всегда наличиствует как память Flash - для хранения программ, так и память EEPROM для хранения данных. Например для всем известно МК Atmel ATMega 8 это следующие характеристики

High Endurance Non-volatile Memory segments
–  8KBytes of In-System Self-programmable Flash program memory
–  512Bytes EEPROM
–  Write/Erase Cycles: 10,000 Flash/100,000 EEPROM
–  Data retention: 20 years at 85C/100 years at 25C

То есть для флеш это 10тыс циклов, а для EEPROM это 100тыс. Заметьте время хранения тоже очень разное. Почему? 194.186.216.42 06:45, 28 июля 2016 (UTC)Прохожий.

• Скорей всего потому что размер страниц разный. То есть Flash программ имеет гораздо больше ячеек на странице стирания-записи чем EEPROM. Также вполне возможно что лицензированная разработчиком микрика EEPROM сделана по более толстым топнормам чем флешь. ASDFS (обс) 16:21, 28 июля 2016 (UTC)

Неточности

1. Откуда при записи туннелируют электроны, если на управляющем затворе положительный заряд (как на картинке)? Если с истока, то можно так и написать. 2. Написано, что при стирании на управляющий затвор подаётся "высокое отрицательное напряжение", а на рисунке написано "ноль".

Наблюдатель А 14:09, 21 сентября 2010 (UTC)

Скорость SSDvsHDD

про "скорость работы - в этом ssd намного превосходят hdd" (с)Illythr 5 марта 2011 - плз ссылки/АИ. Tpyvvikky 03:38, 6 марта 2011 (UTC)

Во-первых, для удаления неподтверждённой АИ информации источники приводить не нужно. Во-вторых об этом ключевом свойстве твердотельных накопителей уже написано в статье SSD, да и полным-полно всяких обзоров, видео и флешек. --Illythr (Толк?) 09:06, 6 марта 2011 (UTC)

Нужно четко написать определение микросхем флеш-памяти

Нужно провести четкую грань между флеш-памятью и обычной ЕEPROM. Советские микросхемы выпуска начала 80-х годов К1601РР1, К1601РР3, относящиеся к микросхемам с электрическим стиранием, тоже имеют режим поблочного стирания. Мало того К1601РР1 вовсе не имеет режима стирания отдельной ячейки. А поэтому, если следовать нечеткому определению данному в статье, К1601РР1 является флеш-памятью появившейся до 1984 года. Тогда не понятно что же изобрел инженер компании Toshiba Фудзио Масуока в 1984 году, если такая же микросхема была в советском "Каталоге интегральных микросхем" выпущенном в 1983 году?

Мое определение: Флеш-память - ПЗУ с электрическим стиранием, содержащая кроме собственно ПЗУ автомат, позволяющий упростить внешний интерфейс, ускорить циклы обмена данными и спрятать специфические для ПЗУ вспомогательные операции.

• не надо придумывать ерунду. Флеш от классической еепром отличается количеством проводников, подходящих к ячейке и структурой ячейки. У флеши один однозатворный (не считая плавающего затвора) транзистор, у еепром обычно два транзистора или один двухзатворный. Это, кстати, можно понять если прочесть еще и статью EEPROM. ASDFS (обс) 14:19, 22 сентября 2014 (UTC)

И не 1983 год а гораздо раньше 1978 год первая ЭППЗУ 558РР1 и 558РР11 (именуемая тогда 558РЕ1 и 558РЕ11) произведены на заводе "Восток" Новосибирск, который в середине 70-х начинает выпускать ППЗУ как с УФ так и с электрическим стиранием. ссылка на каталог http://www.155la3.ru/datafiles/k558re1_re11.pdf. И не придумывайте про кол-во затворов у транзисторов, это не относится к термину "ФЛЕШ" если говорить про Мацуоки эти транзисторы он как структуры именовал SAMOS (stacked-gate avalanche injection MOS) и собственно с их разработки и начал работу в TOSHIBA. Цитирую: «В 80-х годах никто не ожидал такого хода событий. Я имею в виду переворот в технологии хранения данных. Честно говоря, изобретение новой ячейки памяти стало побочным продуктом моих исследований технологии SAMOS памяти. Моя группа из четырех человек смогла создать новый тип ячейки. Первая микросхема имела 8 ячеек памяти. Это было сделано по причине того, что мы хотели провести дополнительную серию экспериментов по хранению данных в ячейках. К началу 1984 года мы имели чип с объемом 32 Кбайт с архитектурой NOR. Причем по эмпирическим подсчетам эта ячейка могла хранить информацию до 25 лет. Кстати, название Флэш для этой ячейки дал Шоджи Аризумми, от английского «Flash» - вспышка.

Как видите речь конкретно идет о архитектуре NOR, об ЯЧЕЙКЕ, а не о строении транзистора.

Опять же надо учесть что с 1978 года производились 558РЕ1 и 558РЕ11 на технологии pMOS, а вот с 1983 в это кагорте уже добавились ЭППЗУ 558РР2 и РР4 не с общим стиранием информации а по блочно. 194.186.216.42 08:53, 27 июля 2016 (UTC)Прохожий

• Простите, но у вас каша в голове. NOR это не структура ячейки а метод объединения отдельных ячеек в матрицу. Слово Flash это торговая марка новой разновидности запоминающей ячейки EEPROM, которая схемотехнически отличается от старой количеством транзисторов в ячейке и проводников, подходящих к ячейке для управления ею. Транзисторы там везде одинаковые - ЛИЗМОП по советской терминологии. А вариантов полупроводниковых структур для построения этих транзисторов, ячеек и матриц придумано дофига и больше, в соответствии с прогрессом литографии и химии полупроводников, особенностями техпроцессов компании-изготовителя и фантазией ее разработчиков. ASDFS (обс) 10:16, 27 июля 2016 (UTC)

• Простите но каша как раз у Вас в голове, нигде слово структура по отношению к NOR я не применял, будьте добры внимательно меня читать! Архитектура NOR - это мои слова, остальное цитирование Мацуоки! Точно одинаковые там везде транзисторы, уверены в этом? Может стоит почитать патенты на изготовление таких транзисторов, например чем транзисторы в РР1 отличаются от РР2, технология на месте не стояла и РР2 сменили РР1 и там есть чему отличаться. И пожалуйста не надо ЛИЗМОП путать с транзисторами это всего лишь лавинная инжекция заряда которая применялась как в УФ ПЗУ, так и ЭППЗУ. Но ключевым отличием является как раз то что лавинную инжекцию заряда было решено убрать из технологии ЭППЗУ и перейти к использованию туннельного эффекта, что позволило и время записи снизить и напряжения снизить и токи.

194.186.216.42 11:20, 27 июля 2016 (UTC)Прохожий

• Ваш постулат о принципиальном различии между классической EEPROM и Flash в виде использования туннельной или лавинной инжекции услышан. Но требует авторитетных источников, подтверждающих, что лавинная инжекция типичный признак классической двухтранзисторной ячейки EEPROM, а туннельная - однотранзисторной, именуемой Flash. Приведенная вами цитата, как я понял, опровергает это предположение, говоря исключительно о структуре ячейки. Также замечу что УФ ПЗУ это разновидность ЭППЗУ. Видимо, вы вторые путаете с ЭСППЗУ. ASDFS (обс) 12:05, 27 июля 2016 (UTC)
  • Мммм... так и не так.

Терминология, ибо это важно: 
 ЭСППЗУ - совершенно верно, для электрически стираемых. Литеру "С", согласен с Вами - я пропустил, виноват. 
 УФ ПЗУ, а точнее ППЗУ с УФ стиранием разновидность ППЗУ, так как все ППЗУ электрически перепрограммируемые что с пережигаемыми перемычками, что с УФ стиранием, что с электрическим стиранием.
 Класс не перепрограммируемых (масочных) это просто ПЗУ.

Замечание по поводу различий флеш и ЭСППЗУ важное и разобраться необходимо, возможно что и различий то нет кроме приоритета Мацуоки. И так. Мацуоки говорит о том что название "флеш" у его коллеги Аризумми возникло для "ячейки и архитектуры NOR". Но... сам Аризумми, к сожалению цитату не могу дать, объясняет это ассоциацией с действием фотовспышки. То есть явно намекает на скорость записи, а это действительно так - 15мс у ячейки Мацуоки, у УФ ППЗУ 25мс. Но у УФ ППЗУ это абсолютно точно лавинная инжекция заряда. Какие физические принципы размещения заряда работают у Мацуоки? SAMOS (stacked-gate avalanche injection MOS) - это транзистор с многоуровневым затвором , с дополнительным затвором стирания. Ну может быть это как то может ускорить стирание, да, но запись? Сам Мацуоки опять же характеризует эту ячейку как более плотную чем ранее использовались, в большей степени упирая на время хранения информации в ней - около 25 лет. Цитирую "Хранение информации в памяти в течение длительного времени было необходимо для множества устройств, построенных на основе микропроцессоров, которые применялись как в бытовых так и в промышленных изделиях. Возможность длительного хранения информации в памяти, как раз и удовлетворяла ранее разработанная технология SAMOS памяти." Кроме всего прочего эти структуры SAMOS Мацуоки исследовал уже давно с 1980, а то и раньше и как побочный эффект получил выход на технологию называемую "flash". Цитирую "В 80-х годах никто не ожидал такого хода событий. Я имею в виду переворот в технологии хранения данных. Честно говоря, изобретение новой ячейки памяти стало побочным продуктом моих исследований технологии SAMOS памяти. Моя группа из четырех человек смогла создать новый тип ячейки." Называет ее технологий SAMOS памяти. Из его слов можно заключить что по технологи этой ячейки уже была какая то память и в ходе исследований он изобрел еще какую то новую ячейку памяти :). IMHO - не многозатворность позволила повысить скорость записи ячейки, а скорее всего Мацуоки добился тунелирования при записи как побочки и сделал это вперед Интел. Застрельщик этой ветки обсуждения совершенно правильно рассуждает в 1978 Интел демонстрирует прототип ЭСППЗУ (Джордж Перлегос), так же в 1978 году мы видим наличие такой памяти в каталоге ЦНИИ "Электроника". Вероятно (по поводу РЕ1 и РЕ11) запись осуществляется лавинной инжекцией (вероятно а если нет?), а вот стирание при помощи туннельного эффекта за это говорит и увеличенное количество циклов перезаписи до 10000 (прям как у Мацуоки). Однако патент 1984 года объясняет каким образом была увеличена надежность при переход к РР2, там уже туннельный эффект развивают для записи информации (http://patents.su/4-1159447-ehlement-pamyati-dlya-postoyannogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html). Проблема только в том что в наших изделиях "туннелируют дырки" (в то время как электроны более подвижны) поэтому и времянки хуже чем у Мацуоки. Что характерно ЭСППЗУ развиваются с 1978 года дальше и Интелом при этом увеличиваются и кол-во циклов (до 10 в 5) и времена записи в том числе из за отказа от лавинной инжекции и переходе к использованию туннельного эффекта. Таким образом есть несколько версий почему флеш это не ЭСППЗУ:

  1. Многоуровневый затвор ячейки SAMOS разработанный Мацуоки позволил увеличить скорость записи????? (очень интересно за счет чего)
  2. Использование туннельного эффекта (вперед Интел точно, вперед ли CCCР????? ) в ячейки похожей на SAMOS для записи (тогда толщина оксида кремния плавающего затвора в районе 150А)
  3. Доводкой Интелом до коммерческой технологии (за 8 лет!!!!) архитектуры NOR с ячейкой по прообразу SAMOS (полученной от TOSHIBA) и в качестве яркого PR хода применения слогана "Flash" 

Склоняюсь к пункту 2 и 3. В этом случае уже Интел искусственно разделяет EEPROM и FLASH на сектора, флеш при этом отличается высоким временем хранения и большой плотностью информации на кв. площади кристалла, но вряд ли скоростными характеристиками подразумеваемыми Аризумми. 194.186.216.42 06:48, 28 июля 2016 (UTC)Прохожий.

• Простите, но мне кажется вам стОило бы для начала прочесть хотя бы АИ статей по сабжам: EEPROM и Flash. ASDFS (обс) 16:30, 28 июля 2016 (UTC)

Ссылка со слова "фотолитография"

Хотел дать ссылку со слова фотолитография, но не нашел кнопки "Править". Страница защищена. Есть возможность сделать это? ALPINE 19:57, 20 сентября 2015 (UTC)

NAND

разновидности:

• SLC NAND - с одноуровневыми ячейками
• MLC NAND -
• TLC NAND - с трёхбитовой ячейкой

- уточнить бы про это дело. --Tpyvvikky (обс) 14:31, 27 августа 2016 (UTC) .. ага, есть раздел

Число перезаписи для разных типов: SLC, MLC, TLC

В статье нет данных на количество перезаписи для TLC. Данные для обычных флешек есть на сайте Kingston [1]:

На время создания данного документа для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) возможно до 3000 циклов записи на физический сектор, исходя из имеющегося процесса литографии (19нм и 20нм). Для флеш-памяти с одноуровневыми ячейками (SLC) возможно до 30000 циклов записи на физический сектор. Для флеш-памяти с трехуровневыми ячейками (TLC) возможно до 500 циклов записи на физический сектор. Литография кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке службы ячейки, который уменьшается со снижением размера кристалла.

Также видим, что указанные в статье 100 000 для SLC и 10 000 для MLC в три раза превышают характеристики типичных в 2015 году бытовых устройств. Gavr301234 16:43, 14 октября 2015 (UTC)

Откуда пробой?

Хорошая статья, как раз энциклопедическая - и по делу, и понятно для дилетанта. Только за одно глаз при беглом чтении зацепился:

Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора, уменьшению времени хранения заряда.

Тогда как в описании принципа действия никакого пробоя нет. О чём речь? И, если речь о принципе работы полевого транзистора - не лучше ли всё же как-то либо избежать слова "пробой", либо сделать минимальное пояснение, хотя бы в скобках.
213.24.127.102 10:30, 8 ноября 2016 (UTC)MichaelMM

• Там есть слова про изолированный карман (затвор). Он изолирован в прямом смысле этого слова, совсем. Как муха в янтаре, без всяких контактов. Чтобы изменить заряд на этом кармане - надо пропихнуть электроны через изолятор. По жизни такое пропихивание называется пробой изолятора. Если сочтете необходимым внести какие то уточнения в статью - сделайте сами, я не очень чувствую что в данном случае нужно. ASDFS (обс.) 12:54, 8 ноября 2016 (UTC)