Циркулятор — устройство СВЧ, выполненное с использованием полосковой технологии
Микрополосковая линия — миниатюрная[ 1] полосковая линия передачи ,
для передачи электромагнитных волн в воздушной или, как правило, в
диэлектрической среде, вдоль двух или нескольких проводников , имеющих форму тонких полосок и пластин.
Линии получили название микрополосковые, т. к. в результате высокой диэлектрической проницаемости подложки её толщина и поперечные размеры полосы много меньше длины волны в свободном пространстве.
В микрополосковой линии распространяется волна квази-ТЕМ и силовые линии электрического поля проходят не только в диэлектрике, но и вне его.
Основным достоинством микрополосковой линии и различных устройств на её основе считается возможность автоматизации производства с применением технологий изготовления печатных плат , гибридных и плёночных интегральных микросхем . Основной недостаток, ограничивающий применение, — возможность применения только при малых и средних уровнях мощности СВЧ колебаний.
микрополосковая линия
Z
Bf
{\displaystyle Z_{\text{Bf}}}
— волновое сопротивление c учётом частотной дисперсии[ 2]
Z
Bf
=
Z
Bs
−
Z
Bs
−
Z
B
1
+
G
(
f
/
f
p
)
2
{\displaystyle Z_{\text{Bf}}=Z_{\text{Bs}}-{\frac {Z_{\text{Bs}}-Z_{\text{B}}}{1+G(f/f_{\text{p}})^{2}}}}
где
Z
Bs
{\displaystyle Z_{\text{Bs}}}
— волновое сопротивление симметричной полосковой линии шириной
w
{\displaystyle w}
и высотой
2
h
{\displaystyle 2h}
;
f
p
=
0
,
3976
Z
B
/
h
{\displaystyle f_{\text{p}}=0,3976Z_{\text{B}}/h}
, в ГГц;
h
{\displaystyle h}
— высота подложки; f в ГГц, а h в мм;
G
=
(
Z
B
−
5
60
)
1
/
2
+
0,004
Z
B
{\displaystyle G=\left({\frac {Z_{\text{B}}-5}{60}}\right)^{1/2}+0{,}004Z_{\text{B}}}
Z
B
{\displaystyle Z_{\text{B}}}
— волновое сопротивление без учёта дисперсии;
Z
B
{\displaystyle Z_{\text{B}}}
, приблизительно, с точностью до 2%[ 3] , можно определить по формуле[ 4] [ 5] [ 6]
Z
B
=
{
B
k
2
π
ln
(
8
h
w
eff
+
0
,
25
w
eff
h
)
,
w
eff
h
≤
1
B
k
(
w
eff
h
+
1,393
+
0,667
ln
(
w
eff
h
+
1,444
)
)
−
1
,
w
eff
h
≥
1
,
B
k
=
z
0
ε
r
e
f
(
t
,
f
)
{\displaystyle Z_{\text{B}}=\,\!{\begin{cases}{\frac {B_{\text{k}}}{2\pi }}\ln \left({\frac {8h}{w_{\text{eff}}}}+0,25{\frac {w_{\text{eff}}}{h}}\right),{\frac {w_{\text{eff}}}{h}}\leq 1\\B_{\text{k}}\left({\frac {w_{\text{eff}}}{h}}+1{,}393+0{,}667\ln \left({\frac {w_{\text{eff}}}{h}}+1{,}444\right)\right)^{-1},{\frac {w_{\text{eff}}}{h}}\geq 1\end{cases}},B_{\text{k}}={\frac {z_{0}}{\sqrt {\varepsilon _{ref(t,f)}}}}}
где
ε
r
e
f
f
=
ε
r
−
ε
r
−
ε
r
e
f
t
1
+
G
(
f
/
f
p
)
2
{\displaystyle \varepsilon _{reff}=\varepsilon _{r}-{\frac {\varepsilon _{r}-\varepsilon _{reft}}{1+G(f/f_{\text{p}})^{2}}}}
— эффективная диэлектрическая проницаемость с учётом частотной дисперсии[ 7]
где
f
{\displaystyle f}
,
f
p
{\displaystyle f_{p}}
,
G
{\displaystyle G}
см. выше
ε
r
e
f
t
{\displaystyle \varepsilon _{reft}}
— эффективная диэлектрическая проницаемость с учётом толщины проводника[ 6]
ε
r
e
f
t
=
{
ε
r
e
f
,
t
h
≤
0
,
005
ε
r
e
f
−
(
ε
r
−
1
)
t
/
h
4
,
6
w
/
h
,
t
h
>
0
,
005
{\displaystyle \varepsilon _{reft}=\,\!{\begin{cases}\varepsilon _{ref},{\frac {t}{h}}\leq 0,005\\\varepsilon _{ref}-{\frac {(\varepsilon _{r}-1)t/h}{4,6{\sqrt {w/h}}}},{\frac {t}{h}}>0,005\end{cases}}}
ε
r
e
f
{\displaystyle \varepsilon _{ref}}
— эффективная диэлектрическая проницаемость.
ε
r
e
f
=
{
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
/
2
,
w
h
≥
1
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
2
(
(
1
+
12
h
w
)
−
1
/
2
+
0
,
041
(
1
−
w
h
)
2
)
,
w
h
<
1
{\displaystyle \varepsilon _{ref}=\,\!{\begin{cases}{\frac {\varepsilon _{r}+1}{2}}+{\frac {\varepsilon _{r}-1}{2}}\left(1+{\frac {12h}{w}}\right)^{-1/2},{\frac {w}{h}}\geq 1\\{\frac {\varepsilon _{r}+1}{2}}+{\frac {\varepsilon _{r}-1}{2}}\left(\left(1+{\frac {12h}{w}}\right)^{-1/2}+0,041\left(1-{\frac {w}{h}}\right)^{2}\right),{\frac {w}{h}}<1\end{cases}}}
ε
r
{\displaystyle \varepsilon _{r}}
— диэлектрическая проницаемость материала подложки
z
0
{\displaystyle z_{0}}
— характеристическое сопротивление вакуума[ 8]
w
eff
{\displaystyle w_{\text{eff}}}
— эффективная ширина проводника[ 6]
w
eff
=
{
w
,
(
Δ
w
=
0
)
,
t
h
≤
0,005
w
+
Δ
w
,
t
h
>
0,005
,
w
eff
h
=
w
h
+
Δ
w
h
{\displaystyle w_{\text{eff}}=\,\!{\begin{cases}w,(\Delta w=0),{\frac {t}{h}}\leq 0{,}005\\w+\Delta w,{\frac {t}{h}}>0{,}005\end{cases}},{\frac {w_{\text{eff}}}{h}}={\frac {w}{h}}+{\frac {\Delta w}{h}}}
Δ
w
h
=
{
A
k
(
1
+
ln
4
π
w
t
)
,
w
h
<
1
2
π
A
k
(
1
+
ln
2
h
t
)
,
w
h
≥
1
2
π
,
A
k
=
1
,
25
t
π
h
{\displaystyle {\frac {\Delta w}{h}}=\,\!{\begin{cases}A_{\text{k}}\left(1+\ln {\frac {4\pi w}{t}}\right),{\frac {w}{h}}<{\frac {1}{2\pi }}\\A_{\text{k}}\left(1+\ln {\frac {2h}{t}}\right),{\frac {w}{h}}\geq {\frac {1}{2\pi }}\end{cases}},A_{\text{k}}={\frac {1,25t}{\pi h}}}
где
w
{\displaystyle w}
— ширина проводника;
t
{\displaystyle t}
— толщина полоски;
в дБ/м
α
=
α
∂
+
α
π
p
{\displaystyle \alpha =\alpha _{\partial }+\alpha _{\pi {\text{p}}}}
где
α
∂
{\displaystyle \alpha _{\partial }}
— потери в диэлектрике[ 9]
α
∂
=
27
,
3
ε
r
(
ε
r
−
1
)
(
ε
r
e
f
f
−
1
)
ε
r
e
f
f
tg
δ
λ
0
{\displaystyle \alpha _{\partial }={\frac {27,3\varepsilon _{r}}{(\varepsilon _{r}-1)}}{\frac {(\varepsilon _{reff}-1)}{\sqrt {\varepsilon _{reff}}}}{\frac {\operatorname {tg} \delta }{\lambda _{0}}}}
,
где
tg
δ
{\displaystyle \operatorname {tg} \delta }
— тангенс угла потерь диэлектрика;
λ
0
{\displaystyle \lambda _{0}}
— длина волны в свободном пространстве;
α
π
p
{\displaystyle \alpha _{\pi {\text{p}}}}
— потери в проводнике
↑ Полосковая линия // Большая советская энциклопедия : [в 30 т.] / гл. ред. А. М. Прохоров . — 3-е изд. — М. : Советская энциклопедия, 1969—1978.
↑ Bianco, B., et al., «Frequency Depence of Microstrip Parametrs», Alta Frequenza , vol. 43, 1974, pp. 413—416
↑
Z
B
{\displaystyle Z_{\text{B}}}
, в диапазоне
0
,
05
<
w
/
h
<
20
{\displaystyle 0{,}05<w/h<20}
при
ε
r
<
16
{\displaystyle \varepsilon _{r}<16}
, точность формул — 1%
Существуют выражения в замкнутой форме (для любого
w
/
h
{\displaystyle w/h}
),но они обеспечивают несколько меньшую точность, например:
H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of a strip on a dielectric sheet on a plane», IEEE Tran. Microwave Theory Tech. , vol. MTT-25, pp. 631—647, Aug. 1977. (см Microstrip.Characteristic Impedance )
↑ H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel wide strips by a conformal-mapping approximation», IEEE Trans. Microwave Theory Tech. , vol. MTT-12, pp. 280—289, May 1964.
↑ H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel strips separated by a dielectric sheet», IEEE Tran. Microwave Theory Tech. , vol. MTT-13, pp. 172—185, Mar. 1965.
↑ 1 2 3 Bahl, I.J., and Ramesh Garg, «Simple and Accurate Formulas for Microstrip with Finite Strip Thickness», Proc. IEEE ,vol. 65, Nov.1977. pp. 1611—1612
↑ Edwards, T.C., and R.P.Owens, «2—18 GHz Dispersion Measurements on 10—100 Ohm Microstrip Line on Saphire», IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ,vol. MTT-24, Aug.1976. pp. 506—513
↑ характеристическое (волновое) сопротивление вакуума или сопротивление свободного пространства ,
z
0
=
μ
0
ε
0
=
μ
0
c
=
1
ε
0
c
{\displaystyle z_{0}={\sqrt {\frac {\mu _{0}}{\varepsilon _{0}}}}=\mu _{0}c={\frac {1}{\varepsilon _{0}c}}}
где
μ
0
{\displaystyle \mu _{0}}
— магнитная постоянная (магнитная проницаемость вакуума)
ε
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
— электрическая постоянная (диэлектрическая проницаемость вакуума)
c
{\displaystyle c}
-скорость света в вакууме
↑ Pucel, R.A. «Losses in Microsrtip», IEEE Trans. Microwave Theory Tech. , vol. MTT-16, 1968, pp. 342—350, correction p.1064