Кведер, Виталий Владимирович (Tfy;yj, Fnmglnw Flg;nbnjkfnc)
Виталий Владимирович Кве́дер | |
---|---|
Дата рождения | 3 октября 1949 (75 лет) |
Место рождения | Чкалов |
Страна | СССР → Россия |
Род деятельности | физик |
Научная сфера | физика полупроводников |
Место работы | Институт физики твёрдого тела РАН |
Альма-матер | МФТИ |
Учёная степень | доктор физико-математических наук (1986) |
Учёное звание | академик РАН (2019) |
Награды и премии |
Виталий Владимирович Кве́дер (род. 3 октября 1949, Чкалов) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1986), член-корреспондент РАН (2006), академик РАН (2019). Директор ИФТТ РАН (2002—2017), академик-секретарь Отделения физических наук (с 2022), член ряда комиссий, советов и иных авторитетных органов РАН.
Биография
[править | править код]В 1972 г. окончил факультет общей и прикладной физики МФТИ.
С 1972 года — научный сотрудник Института физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН).
С 2002 по 2017 годы — директор ИФТТ РАН[1].
Член Совета по нанотехнологиям Российской академии наук.
Президент Международного союза фундаментальной и прикладной физики[2].
В настоящее время является координатором программы РАН «Физика новых материалов и структур»[3].
Научный вклад
[править | править код]Областью исследований Кведера стала физика полупроводников. Он был пионером в изучении электронных свойств дислокаций и других многомерных дефектов решётки в полупроводниках. Таким образом, он внёс значительный вклад в разработку дефектоскопии кремния, что приобрело большое практическое значение для фотоэлектрической энергетики.
Он также сыграл ведущую роль в исследовании фуллеренов. Он обнаружил и исследовал одномерный вариант эффекта Рашбы и показал, что этот эффект является эффективным инструментом для изучения электронных состояний многомерных разломов решётки и других наноразмерных систем.
Он исследовал процессы рекомбинации электронов и дырок на дислокациях, включая спинозависимые процессы, а также взаимодействие легированных инородных атомов с дислокациями в кремнии и влияние легированных примесей на электронные свойства дислокаций.
Он является соавтором многих публикаций (см. ссылки). Его индекс Хирша составляет 21.[4]
Общественная деятельность
[править | править код]В 2010 году входил в Комиссию РАН по проведению экспертизы работ предпринимателя В.И. Петрика, предложившего со ссылками на напоминающие научные доводы ряд технологий (в т.ч. для широкого использования населением для очистки воды). В целом ряде случаев Комиссия не подтвердила утверждения Петрика, указав на грубые ошибки в их научном объяснении и обосновании, в других (как предложение об использовании наноматериалов для фильтров воды) указала не только на бесполезность, но и на заметную опасность применения этой технологии для здоровья населения.
Диссертации
[править | править код]- Кведер, Виталий Владимирович. Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР и высокочастотной проводимости : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Москва, 1977. - 135 с. : ил.
- Кведер, Виталий Владимирович. Спинозависимые электронные свойства дислокаций в кремнии : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Черноголовка, 1986. - 310 с.
Примечания
[править | править код]- ↑ Справка об организации Архивная копия от 8 января 2022 на Wayback Machine // ИФТТ РАН (дата обращения — 10.9.2021)
- ↑ Рождённые в феврале: Институт физики твёрдого тела отметил юбилей Архивная копия от 10 сентября 2021 на Wayback Machine // Черноголовская газета, 21.02.2018
- ↑ Перечень программ фундаментальных исследований Отделения физических наук РАН на 2010 год, Приложение к постановлению Бюро ОФН РАН от 10 февраля 2010 г., протокол № 2, § 18. Дата обращения: 22 апреля 2010. Архивировано из оригинала 26 января 2011 года.
- ↑ Корпус экспертов по естественным наукам . Дата обращения: 10 сентября 2021. Архивировано 31 октября 2020 года.
Ссылки
[править | править код]- Профиль Виталия Владимировича Кведера на официальном сайте РАН
- Его статьи в РИНЦ.
- Карточки дисс. Архивная копия от 26 ноября 2019 на Wayback Machine в каталоге РГБ.
- Родившиеся 3 октября
- Родившиеся в 1949 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в Оренбурге
- Доктора физико-математических наук
- Действительные члены РАН
- Награждённые медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени
- Учёные по алфавиту
- Физики по алфавиту
- Физики СССР
- Физики России
- Выпускники факультета общей и прикладной физики Московского физико-технического института
- Сотрудники ИФТТ РАН