Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (Nuvmnmrm hjkQlyb hjkytmnjkfgunx f bntjkzlytmjkunty JGU)

Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН)
Международное название	The Institute for Design Problems in Microelectronics
Основан	1986
Материнская организация	Отдел нанотехнологий и информационных технологий и Минобрнауки России
Директор	д.т.н., проф. С. В. Гаврилов
Сотрудников	около 80
Расположение	Москва, Зеленоград, ул.Советская, 3
Сайт	ippm.ru

Институ́т пробле́м проекти́рования в микроэлектро́нике РАН (ИППМ РАН) — научно-исследовательский институт Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, расположен в Зеленограде.

История

Основан 1 октября 1986 года как НИИ систем автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры и сверхбольших интегральных схем Академии наук СССР (НИИСАПРАН), современное название с апреля 1998 года. Планировалось, что вместе с рядом других НИИ и заводов институт войдёт в состав нового крупного межведомственного «Центра информатики и электроники» (ЦИЭ), однако после распада СССР институт и развалины основного комплекса зданий ЦИЭ стали единственными напоминаниями о соответствующем проекте в Зеленограде.

Директора

• Баталов Борис Васильевич (1986—1989), член-корреспондент АН СССР;
• Валиев Камиль Ахметович (1989—1992, исполняющий обязанности), академик АН СССР и РАН;
• Стемпковский Александр Леонидович (1992—2018), академик РАН;
• Гаврилов Сергей Витальевич (с 2019 года по н.в.).

Направления фундаментальных научных исследований

• системы автоматизации проектирования в микро- и наноэлектронике;
• методология проектирования интегральных схем и систем высокой сложности;
• высокопроизводительные вычислительные системы.

Развитие российского и международного научного сотрудничества

ИППМ РАН, совместно с Комиссией Европейских Сообществ, Комитетом при Президенте России по политике информатизации, Международной ассоциацией по обработке информации, Ассоциацией по вычислительной технике, ОАО «Телеком», а также рядом европейских университетов, организовал серию международных семинаров по автоматизации проектирования (RUSSIAN WORKSHOP), пан-европейский форум, посвященный сотрудничеству европейских ученых в области науки, техники и образования, международный семинар по многоуровневому проектированию низкомощностных схем, серию международных конференций по проблемам твердотельной фотоники, оптоэлектроники и методологии проектирования фотоприёмных устройств.

С 2005 года институт проводит серию всероссийских научно-технических конференций «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем».

Подготовка научных кадров

При институте действует диссертационный совет по защите докторских и кандидатских диссертаций. Инженерные кадры готовятся в учебных центрах НИУ МИЭТ и МИЭМ НИУ ВШЭ, созданных при ИППМ РАН. С 2008 года при институте работают Научно-образовательный центр «Разработка микро- и наноэлектронных систем» и совместная лаборатория с Южным федеральным университетом.

Известные учёные

• Амербаев, Вильжан Мавлютинович, главный научный сотрудник, академик АН Казахской ССР.
• Русаков, Сергей Григорьевич, заведующий отделом проблем автоматизации проектирования, член-корреспондент РАН.

Ссылки

• Официальный сайт ИППМ РАН Архивная копия от 5 сентября 2007 на Wayback Machine
• 20 лет институту проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук // Информационно-управляющие системы. — 2006. — № 4(23). — С. 2—3.

• Развитие отечественных САПР – задача национальной технологической безопасности. Рассказывает директор ИППМ РАН академик А.Л.Стемпковский // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. — 2008. — № 8. — С. 14—19.

• 25 лет Институту проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) // Вычислительные технологии. — 2011. — Т. 16, № 3. — С. 136—137.

• Алимжанова Н. Своя ноша Александра Стемпковского  (рус.). Окружная газета Зеленограда "41" (193 окт. 2016 г.). Дата обращения: 13 ноября 2017. Архивировано 13 ноября 2017 года.

•  В гостях: Александр Стемпковский (3 окт. 2017 г.)