Гаськов, Александр Михайлович (Igv,tkf, Glytvgu;j Bn]gwlkfnc)
| Гаськов Александр Михайлович | |
|---|---|
 | |
| Дата рождения | 20 марта 1944 |
| Место рождения | Улан-Удэ, СССР |
| Дата смерти | 18 января 2021 (76 лет) |
| Место смерти | Москва |
| Род деятельности | химик |
| Научная сфера | Химия |
| Место работы | МГУ им. М.В. Ломоносова |
| Учёная степень | Доктор химических наук |
| Научный руководитель | Новоселова, Александра Васильевна |
Александр Михайлович Гаськов (20 марта 1944, Улан-Удэ — 18 января 2021, Москва) — российский химик-неорганик, доктор химических наук (1989), профессор (1993), заведующий лабораторией химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов МГУ им. М. В. Ломоносова (2008—2021).
Биография
[править | править код]Родился и вырос в г. Улан-Удэ.
В школьные годы А. М. Гаськов выиграл Всесибирскую олимпиаду по химии, что позволило ему беспрепятственно поступить на Химический факультет Московского государственного университета, который он успешно окончил в 1966 году. По окончании обучения поступил в аспирантуру, и уже в 1969 г. защитил кандидатскую диссертацию и начал преподавательскую деятельность.
Будучи младшим научным сотрудником, в 1972—1974 гг. читал лекции в Алжирском институте нефти и газа, по возвращении продолжил научную деятельность в области полупроводниковых материалов.
В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Направленный синтез трехкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники»[1], а через 5 лет стал профессором кафедры неорганической химии. С 2008 года заведовал лабораторией химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов на кафедре неорганической химии Химического факультета МГУ.
Скончался на 77-м году жизни от коронавирусной инфекции[2].
Научные исследования
[править | править код]Научная карьера Александра Михайловича начиналась на стыке областей радиохимии и химии полупроводников, дипломная работа была посвящена определению давления пара полупроводников с помощью радиоактивных изотопов. Однако в аспирантуре выбор был сделан в пользу изучения полупроводниковых материалов, и лейтмотивом исследования под руководством А. В. Новоселовой стала разработка материалов для ИК-фотоприемников, что позволяло решать задачи ночного видения, передачи информации через атмосферу — изучались различные гетероструктуры свинца, олова и теллура.[3][4] В 90-е годы в поисках новой области научных изысканий А. М. Гаськов активно сотрудничал с коллегами из Франции, и с этого момента начинается разработка полупроводниковых газовых сенсоров. Одними из первых хорошо зарекомендовавших себя соединениями являлись пленки оксидов олова и меди[5][6], в дальнейшем активному изучению подвергались и другие материалы на основе полупроводниковых оксидов[7][8]. Фундаментальные исследования А. М. Гаськова в области сенсорных материалов включают в себя изучение механизма сенсорной чувствительности нанокристаллических полупроводников, определение природы активных центров на поверхности. Для реализации научных идей под руководством А. М. Гаськова созданы малые предприятия, разрабатывающие газовые сенсоры и анализаторы для детектирования опасных веществ в воздухе.
Преподавательская деятельность
[править | править код]Александр Михайлович начал преподавать после защиты кандидатской диссертации (1969г). В 1972—1974 гг. читал лекции в Алжирском институте нефти и газа, затем участвовал в преподавании различных спецкурсов для студентов кафедры неорганической химии Химического факультета МГУ.
С 2009 г. читал курс «Фундаментальные основы неорганического синтеза» для студентов химического факультета
С 2013 г. преподавал курс лекций «Функциональные неорганические материалы XXI века» (межфакультетский курс).
С 2015 г. читал спецкурс «Современные аспекты химии полупроводников: от массивных кристаллов до квантовых точек», а также курс « Химия функциональных материалов» для студентов химического факультета
Под его руководством защищено множество курсовых, дипломных работ и 26 кандидатских диссертаций.
Совместно с коллегами является автором 16 учебных курсов.
Публикации
[править | править код]Перу проф. А. М. Гаськова принадлежит 330 статей, в том числе в зарубежных журналах, и 9 книг (в соавторстве).
Основные монографии:
- Krivetskiy V., Rumyantseva M., Gaskov A. Metal Oxide Nanomaterials for Chemical Sensors. Springer Science+Business Media (New York, United States), 2013. — 116 p.
- Румянцева М. Н., Гаськов А. М. Химические методы получения наноматериалов. М.: Химический факультет МГУ, 2013. — 70 с.
- Gaskov A., Rumyantseva M. Metal oxide nanocomposites: synthesis and characterization in relation with gas sensor phenomena. In Sensors for Environment, Health and Security. NATO Science Series, Brussels, 2008 — 30 p.
Организационная деятельность
[править | править код]Состоял в составе ряда оргкомитетов всероссийских и международных конференций, в частности:
- 5th Forum on New Materials (Montecatini Terme, Italy, Италия, 13-18 июня 2010),
- CIMTEC 2014 — 6th Forum on New Materials (Montecatini Terme, Italy, Италия, 15-19 июня 2014),
- Байкальский материаловедческий форум. (Улан-Удэ — Байкал (с. Максимиха), 9-13 июля 2012).
Являлся членом ряда специализированных и диссертационных советов, научных обществ.
Примечания
[править | править код]- ↑ Гаськов А. М. Направленный синтез трехкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники. Дисс. докт. хим. наук. Москва. МГУ имени М. В. Ломоносова. 1988.
- ↑ 18 января 2021 года на 77 году ушёл из жизни Александр Михайлович Гаськов (недоступная ссылка — история). www.chem.msu.ru. Дата обращения: 18 января 2021.
- ↑ A. N. Vasil\textquotesingleev, V. N. Nikiforov, I. M. Malinski, A. M. Gaskov, R. S. Georgius. Misfit strains in epitaxial heterostructures based on semiconducting solid solutions of A4B6compounds (англ.) // Semiconductor Science and Technology. — 1990-11. — Vol. 5, iss. 11. — P. 1105–1109. — ISSN 0268-1242. — doi:10.1088/0268-1242/5/11/006.
- ↑ V. P. Zlomanov, V. N. Demin, A. M. Gas'kov. Predominant defects in semiconductor isovalent solid solutions: Pb1 –y(SexTe1 –x)y, Pb1 –y(SxTe1 –x)y and Pb1 –y(SxSe1 –x)y (англ.) // Journal of Materials Chemistry. — 1992-01-01. — Vol. 2, iss. 1. — P. 31–35. — ISSN 1364-5501. — doi:10.1039/JM9920200031. Архивировано 3 декабря 2019 года.
- ↑ R. B Vasiliev, M. N Rumyantseva, N. V Yakovlev, A. M Gaskov. CuO/SnO2 thin film heterostructures as chemical sensors to H2S // Sensors and Actuators B: Chemical. — 1998-08-15. — Т. 50, вып. 3. — С. 186–193. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/S0925-4005(98)00235-4.
- ↑ F. Shao, M. W. G. Hoffmann, J. D. Prades, R. Zamani, J. Arbiol. Heterostructured p-CuO (nanoparticle)/n-SnO2 (nanowire) devices for selective H2S detection // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2013-05-01. — Т. 181. — С. 130–135. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/j.snb.2013.01.067.
- ↑ Daniil Naberezhnyi, Marina Rumyantseva, Darya Filatova, Maria Batuk, Joke Hadermann. Effects of Ag Additive in Low Temperature CO Detection with In2O3 Based Gas Sensors (англ.) // Nanomaterials. — 2018/10. — Vol. 8, iss. 10. — P. 801. — doi:10.3390/nano8100801. Архивировано 3 декабря 2019 года.
- ↑ Hewei Si, Nengqian Pan, Xidong Zhang, Jianjun Liao, M. N. Rumyantseva. A real-time on-line photoelectrochemical sensor toward chemical oxygen demand determination based on field-effect transistor using an extended gate with 3D TiO2 nanotube arrays // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2019-06-15. — Т. 289. — С. 106–113. — ISSN 0925-4005. — doi:10.1016/j.snb.2019.03.071.